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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NVF3055-100T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVF3055-100T1G价格参考。ON SemiconductorNVF3055-100T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NVF3055-100T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NVF3055-100T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NVF3055-100T1G的MOSFET属于安森美半导体(ON Semiconductor)的产品,适用于多种电源管理和功率控制场景。其主要应用场景包括: 1. DC-DC转换器:用于笔记本电脑、服务器、通信设备等中的电源模块,实现高效的电压转换。 2. 负载开关:作为高侧或低侧开关,用于控制电源分配,如在电池供电设备中管理不同模块的供电。 3. 电机驱动:在小型电机控制电路中作为功率开关,常见于家电、电动工具和工业控制系统中。 4. 电源管理模块:广泛应用于电源管理系统中,用于提高能效、降低损耗,如在电源适配器、UPS(不间断电源)中使用。 5. 电池保护电路:用于电池充放电管理,防止过流、短路等异常情况,保障设备安全运行。 6. LED照明驱动:作为开关元件用于LED驱动电路中,实现高效、稳定的电流控制。 该器件具有低导通电阻、高频率响应和良好的热稳定性,适合高频开关应用,有助于提升系统效率并减小电路体积。适用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 3A SOT223MOSFET NFET 60V 3A 0.100R |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NVF3055-100T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NVF3055-100T1G |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| Qg-GateCharge | 10.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 88 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 88 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 455pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 110 毫欧 @ 1.5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3A (Ta) |
| 系列 | NTF3055-100 |
| 配置 | Single |