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SI3447BDV-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3447BDV-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3447BDV-T1-E3价格参考。VishaySI3447BDV-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 12V 4.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP。您可以下载SI3447BDV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI3447BDV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3447BDV-T1-E3 是一款N沟道增强型MOSFET,属于单MOSFET器件,广泛应用于各类电子设备中。该器件采用小型化封装(如SOT-23),具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性,适用于空间受限且对效率要求较高的场合。 其主要应用场景包括:便携式电子产品(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中的电源管理与负载开关,用于控制电池供电路径或模块供电;在DC-DC转换器中作为同步整流开关,提升电源转换效率;在LED驱动电路中用于开关调光控制;还可用于热插拔电路、电机驱动以及各类低电压、低功率开关应用。 SI3447BDV-T1-E3支持逻辑电平驱动,可直接由3.3V或5V微控制器信号驱动,简化了控制电路设计。此外,其符合RoHS环保标准,适合消费类电子、工业控制及通信设备等多种领域。由于其高集成度和稳定性能,特别适用于高密度PCB布局的现代电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOPMOSFET 12V 5.2A 2W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72020 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3447BDV-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3447BDV-T1-E3SI3447BDV-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.1 W |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 46 ns |
| 下降时间 | 46 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 40 毫欧 @ 6A,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3447BDV-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 62 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 40 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 12 V |
| 漏极连续电流 | 4.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.5A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI3447BDV-E3 |