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STP9NK60Z产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP9NK60Z由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP9NK60Z价格参考。STMicroelectronicsSTP9NK60Z封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 600V 7A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB。您可以下载STP9NK60Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP9NK60Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STP9NK60Z是一款高压、高性能的N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的MOSFET单管类别。该器件耐压高达600V,适合用于开关电源和高电压控制场合。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):广泛应用于AC-DC转换器中,如手机充电器、适配器、PC电源等,因其具备低导通电阻和快速开关特性,可提高能效并减少发热。 2. 照明系统:用于电子镇流器、LED驱动电源及节能灯电路中,实现高效稳定的电流控制。 3. 电机控制:适用于小型家电或工业设备中的电机驱动模块,提供可靠的开关性能。 4. 逆变器与UPS:在不间断电源(UPS)和DC-AC逆变器中作为关键开关元件,承担能量转换任务。 5. 消费类电子产品:如电视、音响等内置电源管理单元中,发挥其高耐压与稳定工作的优势。 STP9NK60Z采用TO-220或类似封装,具备良好的热稳定性和可靠性,适合通孔安装,便于散热设计。其优化的栅极电荷和导通损耗特性,有助于提升系统整体效率,是中等功率应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220MOSFET N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP9NK60ZSuperMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP9NK60Z |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Qg-GateCharge | 38 nC |
| Qg-栅极电荷 | 38 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 950 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 950 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1110pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 950 毫欧 @ 3.5A,10V |
| 产品种类 | Power MOSFET Transistors |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-12620-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF67426?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 43 ns |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.438 g |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7A (Tc) |
| 系列 | STP9NK60Z |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |