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  • 型号: STW15NM60N
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STW15NM60N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW15NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTW15NM60N封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STW15NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW15NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics(意法半导体)的STW15NM60N是一款N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高电压、中等电流的应用场景。该器件具有600V的漏源击穿电压和15A的连续漏极电流能力,适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。

主要应用场景包括:

1. 电源转换设备:如AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS),用于计算机、服务器、工业设备等,提供高效的能量转换。

2. 电机控制与驱动:在变频器、伺服电机或步进电机驱动器中,作为功率开关使用,实现对电机速度和转矩的精确控制。

3. 照明系统:例如LED路灯或工业照明中的恒流驱动电路,利用其高频开关特性提高效率并减小体积。

4. 家电产品:如电磁炉、微波炉、洗衣机等家用电器中的功率控制模块,具备良好的热稳定性和过载保护能力。

5. 新能源领域:太阳能逆变器、储能系统中的DC-DC变换器等,支持清洁能源系统的高效运行。

该MOSFET采用TO-247封装,便于散热和安装,适合高功率密度设计,广泛应用于工业自动化、消费电子及绿色能源等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 14A TO-247

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

STMicroelectronics

数据手册

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产品图片

产品型号

STW15NM60N

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

MDmesh™ II

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1250pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

37nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

299 毫欧 @ 7A,10V

产品目录页面

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供应商器件封装

TO-247-3

其它名称

497-7618-5
STW15NM60N-ND

功率-最大值

125W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

14A (Tc)

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