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产品简介:
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IRFR214TR 是 Vishay Siliconix(威世科技)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于功率场效应晶体管(Power MOSFET)。该器件广泛应用于各类电力电子系统中,适用于需要高效、高速开关性能的场合。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:常用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等电源模块中,作为主开关或同步整流开关,提升转换效率。 2. 电机控制:在直流电机驱动、步进电机或无刷电机控制系统中作为功率开关使用,适用于工业自动化、机器人和电动工具等领域。 3. 负载开关与继电器替代:用于替代机械继电器,实现高频率、低功耗的负载切换,常见于家电、工业控制设备和汽车电子中。 4. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制电路中,作为高边或低边开关,保护电池组免受过流或短路损害。 5. 汽车电子:由于其高可靠性和耐用性,IRFR214TR 可用于车载电源系统、车身控制模块、LED 照明驱动等场景。 该 MOSFET 具有低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和良好的热稳定性,适合中低功率应用。其封装形式为 TO-252(DPAK),便于散热和安装,适用于表面贴装工艺。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91269 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFR214TR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 140pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2 欧姆 @ 1.3A,10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.2A (Tc) |