数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD3055L170G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD3055L170G价格参考。ON SemiconductorNTD3055L170G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD3055L170G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD3055L170G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD3055L170G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效功率转换和控制的场合,适用于多种电源管理和功率电子系统。 其典型应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器,适用于笔记本电脑、服务器、通信设备等的电源模块。 2. 电机驱动:用于直流电机或步进电机的控制电路中,实现电机的高效启停和调速。 3. 负载开关:作为高效率的电子开关,控制大电流负载的通断,如LED照明、加热元件等。 4. 电池管理系统(BMS):在电池充放电管理中作为开关元件,确保电池安全高效运行。 5. 逆变器与UPS系统:用于不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中,进行电能形式的转换和调节。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压(VDS=200V)、高电流能力及良好的热稳定性,适合高频开关应用,有助于提升系统效率并减少散热设计复杂度。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTD3055L170G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 275pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 170 毫欧 @ 4.5A,5V |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
功率-最大值 | 1.5W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 75 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Ta) |