Datasheet下载- 型号： FCH041N60F
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FCH041N60F由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCH041N60F价格参考￥32.75-￥32.75。Fairchild SemiconductorFCH041N60F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FCH041N60F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FCH041N60F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCH041N60F 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源 (SMPS) - FCH041N60F 的高电压耐受能力（600V）使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用，例如 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器和反激式变换器。 - 它的低导通电阻（Rds(on) 典型值为 280mΩ@10V）有助于降低功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动 - 适用于中小型电机驱动，如家用电器中的风扇、水泵或空调压缩机等。 - 在电机控制电路中用作功率开关，支持高效启动和停止操作。 3. 逆变器 - 广泛应用于光伏逆变器、UPS（不间断电源）和其他类型的电力逆变系统中。 - 可用于将直流电转换为交流电的过程，提供稳定的电流输出。 4. 工业自动化 - 在工业控制系统中，作为继电器替代品，用于负载切换和保护。 - 常见于可编程逻辑控制器 (PLC) 和其他工业设备中的功率管理模块。 5. 汽车电子 - 适合汽车中的非核心电气系统，如车窗升降器、雨刷器、座椅调节器等。 - 需要注意的是，虽然该器件性能优良，但它并非专为 AEC-Q101 标准设计，因此在关键安全相关的汽车应用中需谨慎使用。 6. 电池管理系统 (BMS) - 用于锂电池或其他类型电池组的充放电保护电路中，充当主开关元件。 - 提供快速响应以防止过流、短路等情况发生。 7. 照明系统 - 在 LED 照明驱动电路中作为功率开关，确保恒定电流供应给 LED 模块。 - 支持调光功能，满足不同亮度需求。 综上所述，FCH041N60F 凭借其出色的电气特性和可靠性，在各种需要高效功率切换的应用场景中表现出色，尤其适合对成本敏感且对性能有一定要求的设计项目。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 600V 76A TO247MOSFET 600V N-Channel MOSFET, FRFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 76 A |
| Id-连续漏极电流 | 76 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCH041N60FSuperFETII® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FCH041N60F |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 595 W |
| Pd-功率耗散 | 595 W |
| Qg-GateCharge | 277 nC |
| Qg-栅极电荷 | 277 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 36 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 36 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V to 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V to 5 V |
| 上升时间 | 66 ns |
| 下降时间 | 53 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14365pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 360nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 41 毫欧 @ 38A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 244 ns |
| 功率-最大值 | 595W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.390 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 64.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/superfetii-family/50086http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-semiconductor-superfet-mosfets/4170http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 76A （Tc） |
| 系列 | FCH041 |
| 配置 | Single |
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