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产品简介:
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STD11NM60N-1 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它属于功率 MOSFET 类别,具有 600V 的耐压能力和 11A 的连续漏极电流(在特定条件下)。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - STD11NM60N-1 可用于开关电源中的高频开关应用。其低导通电阻(Rds(on))和高耐压特性使其非常适合于 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器以及反激式、正激式等拓扑结构。 - 应用实例:适配器、充电器、LED 驱动电源。 2. 电机驱动 - 在电机控制中,该 MOSFET 可作为功率开关,用于控制电机的启动、停止和速度调节。 - 应用实例:小型家用电器(如风扇、水泵)、工业自动化设备中的直流电机驱动。 3. 逆变器 - 它可以用于光伏逆变器或 UPS(不间断电源)系统中,实现直流到交流的转换。 - 其高耐压能力确保了在高压环境下的可靠运行。 4. 电磁阀和继电器驱动 - 由于其能够承受较高的电压和电流,STD11NM60N-1 可用于驱动电磁阀或继电器,尤其是在需要快速切换的应用中。 - 应用实例:汽车电子、工业控制系统。 5. 负载开关 - 在需要高效负载管理的场合,该 MOSFET 可作为负载开关使用,以保护电路免受过流或短路的影响。 - 应用实例:消费电子产品中的电池管理系统。 6. 脉宽调制 (PWM) 控制 - 在 PWM 应用中,STD11NM60N-1 的快速开关特性和低损耗性能使其成为理想选择。 - 应用实例:LED 调光、音频放大器。 特性总结 - 高耐压:600V,适用于高压环境。 - 低导通电阻:有助于减少功率损耗,提高效率。 - 快速开关能力:适合高频应用。 - 紧凑封装:节省 PCB 空间,便于设计。 综上所述,STD11NM60N-1 广泛应用于电力电子领域,特别是在需要高效功率转换和控制的场景中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STD11NM60N-1 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | MDmesh™ II |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 850pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 450 毫欧 @ 5A,10V |
供应商器件封装 | I-Pak |
其它名称 | 497-5963-5 |
功率-最大值 | 90W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
标准包装 | 75 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Tc) |