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  • 型号: STD11NM60N-1
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STD11NM60N-1由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD11NM60N-1价格参考。STMicroelectronicsSTD11NM60N-1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STD11NM60N-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD11NM60N-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STD11NM60N-1 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它属于功率 MOSFET 类别,具有 600V 的耐压能力和 11A 的连续漏极电流(在特定条件下)。以下是其主要应用场景:

 1. 开关电源 (SMPS)
   - STD11NM60N-1 可用于开关电源中的高频开关应用。其低导通电阻(Rds(on))和高耐压特性使其非常适合于 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器以及反激式、正激式等拓扑结构。
   - 应用实例:适配器、充电器、LED 驱动电源。

 2. 电机驱动
   - 在电机控制中,该 MOSFET 可作为功率开关,用于控制电机的启动、停止和速度调节。
   - 应用实例:小型家用电器(如风扇、水泵)、工业自动化设备中的直流电机驱动。

 3. 逆变器
   - 它可以用于光伏逆变器或 UPS(不间断电源)系统中,实现直流到交流的转换。
   - 其高耐压能力确保了在高压环境下的可靠运行。

 4. 电磁阀和继电器驱动
   - 由于其能够承受较高的电压和电流,STD11NM60N-1 可用于驱动电磁阀或继电器,尤其是在需要快速切换的应用中。
   - 应用实例:汽车电子、工业控制系统。

 5. 负载开关
   - 在需要高效负载管理的场合,该 MOSFET 可作为负载开关使用,以保护电路免受过流或短路的影响。
   - 应用实例:消费电子产品中的电池管理系统。

 6. 脉宽调制 (PWM) 控制
   - 在 PWM 应用中,STD11NM60N-1 的快速开关特性和低损耗性能使其成为理想选择。
   - 应用实例:LED 调光、音频放大器。

 特性总结
- 高耐压:600V,适用于高压环境。
- 低导通电阻:有助于减少功率损耗,提高效率。
- 快速开关能力:适合高频应用。
- 紧凑封装:节省 PCB 空间,便于设计。

综上所述,STD11NM60N-1 广泛应用于电力电子领域,特别是在需要高效功率转换和控制的场景中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

STMicroelectronics

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

STD11NM60N-1

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

MDmesh™ II

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

850pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

31nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

450 毫欧 @ 5A,10V

供应商器件封装

I-Pak

其它名称

497-5963-5

功率-最大值

90W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB

标准包装

75

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

10A (Tc)

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