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CSD16407Q5产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD16407Q5由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD16407Q5价格参考。Texas InstrumentsCSD16407Q5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 25V 31A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSONP(5x6)。您可以下载CSD16407Q5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD16407Q5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD16407Q5 是由 Texas Instruments(德州仪器)推出的一款增强型 n 通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和出色的热性能,适用于多种高效能电力电子应用场景。以下是 CSD16407Q5 的主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:CSD16407Q5 可用作同步整流器或主开关,在降压(Buck)或升压(Boost)转换器中实现高效的电压转换。 - 负载开关:用于动态控制电路中的电流流动,支持快速开启/关闭操作,同时减少功率损耗。 - 线性稳压器 (LDO):作为 LDO 的调整元件,提供稳定的输出电压。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机 (BLDC):在 BLDC 驱动器中,CSD16407Q5 可用作功率级的一部分,实现高效的 PWM 控制和电流切换。 - 步进电机控制:用于步进电机的 H 桥或半桥驱动电路,支持精确的速度和位置控制。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护:通过快速开关特性,防止过充、过放或短路等异常情况。 - 电量监测:配合其他电路元件,用于精确测量电池电流和电压。 4. 消费电子产品 - 笔记本电脑和智能手机适配器:用于高效电源适配器设计,支持 USB-C 和 PD(Power Delivery)协议。 - 音频放大器:在 D 类放大器中作为开关元件,提供高效率和低失真。 5. 工业应用 - 逆变器和变频器:用于工业自动化设备中的逆变器模块,支持 AC-DC 或 DC-AC 转换。 - 开关电源 (SMPS):在开关模式电源中,CSD16407Q5 可显著降低传导损耗和开关损耗。 6. 汽车电子 - 车载充电器 (OBC):支持电动汽车和混合动力汽车的高效充电功能。 - LED 照明驱动:用于汽车内外部 LED 灯的恒流驱动电路。 特性总结 CSD16407Q5 的低 Rds(on) 和高可靠性使其特别适合需要高效功率转换和低功耗的应用场景。其小型封装(如 QFN)也便于集成到空间受限的设计中。总之,这款 MOSFET 广泛应用于消费电子、工业设备、通信基础设施以及汽车领域,为现代电力系统提供了高性能解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 100A 8-SONMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 31 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD16407Q5NexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD16407Q5 |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| Qg-栅极电荷 | 13.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 12 V, + 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V |
| 上升时间 | 18.4 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.9V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2660pF @ 12.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.4 毫欧 @ 25A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SON |
| 其它名称 | 296-24252-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD16407Q5 |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | VSON-8 Clip |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 111 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 31A(Ta), 100A(Tc) |
| 系列 | CSD16407Q5 |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |