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  • 型号: CSD16407Q5
  • 制造商: Texas Instruments
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CSD16407Q5产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD16407Q5由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD16407Q5价格参考。Texas InstrumentsCSD16407Q5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 25V 31A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSONP(5x6)。您可以下载CSD16407Q5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD16407Q5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CSD16407Q5 是由 Texas Instruments(德州仪器)推出的一款增强型 n 通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和出色的热性能,适用于多种高效能电力电子应用场景。以下是 CSD16407Q5 的主要应用场景:

 1. 电源管理
   - DC-DC 转换器:CSD16407Q5 可用作同步整流器或主开关,在降压(Buck)或升压(Boost)转换器中实现高效的电压转换。
   - 负载开关:用于动态控制电路中的电流流动,支持快速开启/关闭操作,同时减少功率损耗。
   - 线性稳压器 (LDO):作为 LDO 的调整元件,提供稳定的输出电压。

 2. 电机驱动
   - 无刷直流电机 (BLDC):在 BLDC 驱动器中,CSD16407Q5 可用作功率级的一部分,实现高效的 PWM 控制和电流切换。
   - 步进电机控制:用于步进电机的 H 桥或半桥驱动电路,支持精确的速度和位置控制。

 3. 电池管理系统 (BMS)
   - 电池保护:通过快速开关特性,防止过充、过放或短路等异常情况。
   - 电量监测:配合其他电路元件,用于精确测量电池电流和电压。

 4. 消费电子产品
   - 笔记本电脑和智能手机适配器:用于高效电源适配器设计,支持 USB-C 和 PD(Power Delivery)协议。
   - 音频放大器:在 D 类放大器中作为开关元件,提供高效率和低失真。

 5. 工业应用
   - 逆变器和变频器:用于工业自动化设备中的逆变器模块,支持 AC-DC 或 DC-AC 转换。
   - 开关电源 (SMPS):在开关模式电源中,CSD16407Q5 可显著降低传导损耗和开关损耗。

 6. 汽车电子
   - 车载充电器 (OBC):支持电动汽车和混合动力汽车的高效充电功能。
   - LED 照明驱动:用于汽车内外部 LED 灯的恒流驱动电路。

 特性总结
CSD16407Q5 的低 Rds(on) 和高可靠性使其特别适合需要高效功率转换和低功耗的应用场景。其小型封装(如 QFN)也便于集成到空间受限的设计中。总之,这款 MOSFET 广泛应用于消费电子、工业设备、通信基础设施以及汽车领域,为现代电力系统提供了高性能解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 25V 100A 8-SONMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

31 A

品牌

Texas Instruments

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制

产品系列

晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD16407Q5NexFET™

数据手册

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产品型号

CSD16407Q5

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

3.1 W

Pd-功率耗散

3.1 W

Qg-栅极电荷

13.3 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

3.3 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 12 V, + 16 V

Vgs-栅源极击穿电压

16 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.6 V

上升时间

18.4 ns

下降时间

9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.9V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2660pF @ 12.5V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

18nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.4 毫欧 @ 25A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SON

其它名称

296-24252-1

典型关闭延迟时间

16 ns

制造商产品页

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD16407Q5

功率-最大值

3.1W

包装

剪切带 (CT)

商标

Texas Instruments

商标名

NexFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-TDFN 裸露焊盘

封装/箱体

VSON-8 Clip

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

111 S

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

31A(Ta), 100A(Tc)

系列

CSD16407Q5

视频文件

http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001

设计资源

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176

通道模式

Enhancement

配置

Single

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