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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN73N30Q由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN73N30Q价格参考。IXYSIXFN73N30Q封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFN73N30Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFN73N30Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFN73N30Q是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),具有高电压、大电流和低导通电阻的特点。其耐压值高达300V,连续漏极电流可达73A,适合用于高功率开关应用。 该型号广泛应用于工业与电力电子领域,如开关电源(SMPS)、直流-直流变换器、逆变器和电机驱动系统中。由于其优异的热稳定性和高可靠性,也常用于焊接设备、UPS不间断电源以及太阳能逆变器等对效率和稳定性要求较高的场合。 此外,IXFN73N30Q采用TO-268封装,具备良好的散热性能,适用于紧凑型高功率密度设计。其快速开关特性有助于降低能量损耗,提高系统整体能效,因此在需要频繁开关操作的控制系统中表现突出。 综上所述,IXFN73N30Q主要适用于高电压、大电流的功率开关场景,尤其适合工业电源、可再生能源系统和电机控制等关键应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXFN73N30Q |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 195nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 45 毫欧 @ 500mA,10V |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 功率-最大值 | 500W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 73A |