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FCA20N60F产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FCA20N60F由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCA20N60F价格参考。Fairchild SemiconductorFCA20N60F封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 20A(Tc) 208W(Tc) TO-3PN。您可以下载FCA20N60F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCA20N60F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCA20N60F 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET/MOSFET - 单类器件。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):FCA20N60F 的高电压耐受能力(600V)和低导通电阻使其非常适合用于开关电源中的功率开关。 - DC-DC 转换器:可用于降压或升压转换器中的主开关或同步整流器,以提高效率并降低功耗。 - 逆变器:在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,该 MOSFET 可用于高频开关应用。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机 (BLDC) 驱动:适用于工业自动化、家用电器(如空调、冰箱)以及电动工具中的电机控制。 - 步进电机驱动:能够提供高效的电流切换,支持精确的运动控制。 3. 汽车电子 - 车载充电器:在电动汽车或混合动力汽车中,用于车载充电器的功率转换部分。 - 启动/停止系统:用于车辆启动时的瞬态保护和高效能量传输。 - LED 照明:为汽车前大灯、尾灯等提供稳定的电流驱动。 4. 工业设备 - 不间断电源 (UPS):作为关键的功率开关元件,确保电力供应的稳定性和可靠性。 - 焊接设备:用于控制焊接电流的输出,实现高效且精确的能量传递。 - 电磁阀控制:适用于工业阀门和其他需要高压驱动的应用场景。 5. 消费电子 - 适配器与充电器:用于笔记本电脑、平板电脑或其他高功率设备的充电解决方案。 - 家电控制:例如洗衣机、洗碗机中的排水泵或压缩机驱动。 6. 其他应用 - 脉冲宽度调制 (PWM) 控制:利用其快速开关特性,实现对负载的精准控制。 - 过流保护电路:通过检测异常电流并迅速切断电路,保护下游设备免受损害。 总结来说,FCA20N60F 凭借其出色的电气性能(如高击穿电压、低 Rds(on) 和良好的热稳定性),广泛应用于需要高效功率转换和控制的各类场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PNMOSFET 600V N-CH FRFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCA20N60FSuperFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FCA20N60F |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 208 W |
| Pd-功率耗散 | 208 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 150 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 150 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 140 ns |
| 下降时间 | 65 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3080pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 98nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 190 毫欧 @ 10A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3PN |
| 典型关闭延迟时间 | 230 ns |
| 功率-最大值 | 208W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.401 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3PN-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 17 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Tc) |
| 系列 | FCA20N60 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |