Datasheet下载- 型号： FDD6N50FTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD6N50FTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD6N50FTM价格参考。Fairchild SemiconductorFDD6N50FTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD6N50FTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD6N50FTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD6N50FTM 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源 (SMPS) - FDD6N50FTM 的高电压耐受能力（最大漏源极电压 VDS = 500V）使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用，例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 - 它可以作为主开关管或同步整流管，用于提高电源效率和稳定性。 2. 电机驱动 - 在电机驱动电路中，该 MOSFET 可用于控制电机的启动、停止和速度调节。 - 其低导通电阻（典型值 RDS(on) = 0.7Ω @ VGS=10V）有助于减少功耗，适合中小型电机驱动应用。 3. 逆变器 - 该器件适用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）等设备中的逆变电路，用于将直流电转换为交流电。 - 高频开关能力和良好的热性能确保了逆变器的高效运行。 4. 电子负载 - 在测试和测量设备中，FDD6N50FTM 可用作电子负载的功率元件，以模拟各种负载条件。 - 其稳定的电气特性使其能够承受较高的电压和电流波动。 5. 继电器替代 - 在需要快速切换和高可靠性的场合，FDD6N50FTM 可以替代传统机械继电器，用于控制大功率负载（如灯泡、加热器等）的开闭。 6. 保护电路 - 该 MOSFET 可用于过压、过流或短路保护电路中，作为开关元件切断异常电流路径，从而保护系统免受损坏。 7. 家电与工业设备 - 在家用电器（如洗衣机、空调等）和工业设备中，FDD6N50FTM 可用于控制高压电路，提供高效的功率管理。 总结 FDD6N50FTM 凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能，广泛应用于需要高压、高频和高效能的场景中。它特别适合于电力电子领域，能够满足多种复杂工况下的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAKMOSFET 500V N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD6N50FTMUniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDD6N50FTM |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 89 W |
| Pd-功率耗散 | 89 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.15 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.15 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 28.3 ns |
| 下降时间 | 20.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 960pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.15 欧姆 @ 2.75A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FDD6N50FTMDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 33.4 ns |
| 功率-最大值 | 89W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.5A （Tc） |
| 系列 | FDD6N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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