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IRFD110产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD110由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD110价格参考。VishayIRFD110封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP。您可以下载IRFD110参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFD110 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRFD110 是一款 N 沱道功率 MOSFET,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要的应用领域及特点: 1. 开关电源(SMPS) - IRFD110 常用于开关电源中的功率开关器件,能够高效地控制电流的开闭。 - 其低导通电阻(Rds(on) = 0.25Ω @ Vgs = 10V)有助于减少传导损耗,提高电源转换效率。 2. 直流电机驱动 - 在小型直流电机驱动电路中,IRFD110 可作为功率开关使用,实现电机的启停、调速和方向控制。 - 它的快速开关特性能够支持高频 PWM 调制,从而精确控制电机转速。 3. 电池管理与保护 - 用于电池组的充放电管理电路中,IRFD110 可以充当负载开关或保护开关,防止过流、短路等问题。 - 其低导通电阻可减少电池能量损耗,延长续航时间。 4. 逆变器电路 - 在小型逆变器应用中,IRFD110 可用作功率级开关,将直流电转换为交流电。 - 其良好的热稳定性和耐压能力(Vds = 200V)使其能够在较高电压环境下可靠运行。 5. LED 驱动 - 用于大功率 LED 照明系统中,IRFD110 可通过 PWM 或恒流控制方式调节 LED 亮度。 - 低导通电阻确保了高效的电流传输,减少热量产生。 6. 继电器替代 - 在需要固态开关的场合,IRFD110 可替代传统机械继电器,提供更快的切换速度和更长的使用寿命。 7. 其他应用 - 家电控制:如风扇调速、水泵控制等。 - 工业自动化:用于传感器信号隔离、负载切换等场景。 - 音频放大器:在功率输出级中作为开关元件使用。 总结来说,IRFD110 凭借其高性能参数和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域,特别是在需要高效功率转换和快速开关的场景中表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIPMOSFET 100V Single N-Channel HEXFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1 A |
Id-连续漏极电流 | 1 A |
品牌 | Vishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFD110- |
数据手册 | |
产品型号 | IRFD110 |
Pd-PowerDissipation | 1300 mW |
Pd-功率耗散 | 1.3 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 540 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 540 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 16 ns |
下降时间 | 16 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 180pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.3nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 540 毫欧 @ 600mA,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 4-DIP,Hexdip,HVMDIP |
其它名称 | *IRFD110 |
典型关闭延迟时间 | 15 ns |
功率-最大值 | 1.3W |
功率耗散 | 1300 mW |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 540 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | 4-DIP(0.300",7.62mm) |
封装/箱体 | HexDIP-4 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 1 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |