Datasheet下载- 型号： IXTN21N100
- 制造商： Clare
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTN21N100由Clare设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTN21N100价格参考。ClareIXTN21N100封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTN21N100参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTN21N100 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTN21N100是一款高压增强型N沟道MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有1000V的高漏源击穿电压和21A的连续漏极电流能力，适用于高电压、中等电流的开关应用。 其主要应用场景包括： 1. 高压电源系统：常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和高压电源模块中，因其高耐压特性，适合工作在数百伏以上的电路中，实现高效电能转换。 2. 工业控制设备：在电机驱动、继电器或电磁阀控制等工业自动化系统中，作为功率开关使用，具备良好的热稳定性和可靠性。 3. 照明系统：应用于高强度放电灯（HID）、荧光灯电子镇流器等照明驱动电路，提供快速开关响应和高效率。 4. 能源与可再生能源系统：可用于太阳能逆变器或风能发电系统的辅助电源管理模块中，支持高电压环境下的稳定运行。 5. 高压脉冲发生器与电容放电电路：凭借其高电压承受能力和快速开关特性，适用于激光器、医疗设备或静电消除设备中的脉冲功率电路。 IXTN21N100采用TO-247封装，散热性能良好，适合高功率密度设计。其低栅极电荷和导通电阻有助于减少开关损耗，提升系统效率。整体上，该MOSFET特别适用于需要高耐压、高可靠性的工业与电力电子领域。
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