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SI8499DB-T2-E1产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI8499DB-T2-E1由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI8499DB-T2-E1价格参考。VishaySI8499DB-T2-E1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 16A(Tc) 2.77W(Ta),13W(Tc) 6-Micro Foot™(1.5x1)。您可以下载SI8499DB-T2-E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI8499DB-T2-E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI8499DB-T2-E1 是一款增强型 N 沟道 MOSFET,广泛应用于各种电力电子领域。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:用于开关电源中的功率级控制,实现高效的电压转换。 - 负载开关:作为负载开关,控制电路中电流的通断,保护下游电路免受过流或短路的影响。 - 电池管理系统 (BMS):在电池充电和放电过程中,用作开关元件以优化能量传输并防止过充或过放。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:适用于消费电子、家用电器中的小功率电机驱动,例如风扇、泵或玩具电机。 - H 桥和半桥电路:在电机正反转控制中,MOSFET 作为开关元件提供高效切换。 3. 信号切换 - 信号路由:在多路复用器或信号选择器中,用于高速信号路径的切换。 - 音频信号切换:在音频设备中,用于切换不同的输入或输出信号。 4. 保护电路 - 过流保护:利用其低导通电阻特性检测电流,并在超过设定值时切断电路。 - 热插拔保护:在服务器或通信设备中,防止因设备插入或拔出时产生的瞬态电流损坏系统。 5. 便携式设备 - 移动设备电源管理:应用于智能手机、平板电脑等便携式设备中,管理电池与系统的电能分配。 - USB 充电端口保护:确保 USB 端口在连接外部设备时的安全性,同时支持快速充电功能。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on)):降低功耗,提高效率。 - 高开关速度:适合高频应用,减少开关损耗。 - 紧凑封装 (TrenchFET Gen IV 技术):节省空间,便于小型化设计。 总结来说,SI8499DB-T2-E1 主要应用于需要高效功率转换、快速开关响应和紧凑设计的场景,特别适合消费电子、工业控制和通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 16A MICROFOOTMOSFET -20V 32mOhm@4.5V 16A P-Ch G-III |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 7.8 A |
| Id-连续漏极电流 | - 7.8 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI8499DB-T2-E1TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI8499DB-T2-E1SI8499DB-T2-E1 |
| Pd-PowerDissipation | 2.77 W |
| Pd-功率耗散 | 2.77 W |
| Qg-GateCharge | 20 nC |
| Qg-栅极电荷 | 20 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 32 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 32 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1.3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1.3 V |
| 上升时间 | 10 nS |
| 下降时间 | 30 nS |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 32 毫欧 @ 1.5A,4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-Micro Foot™ |
| 其它名称 | SI8499DB-T2-E1DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 55 nS |
| 功率-最大值 | 13W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-MICRO FOOT™ |
| 封装/箱体 | Micro Foot-6 1.5x1 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 10 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16A (Tc) |
| 配置 | Single |