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详细数据请看参考数据手册

型号： IRF530NSPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF530NSPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF530NSPBF价格参考。International RectifierIRF530NSPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 3.8W（Ta），70W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF530NSPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF530NSPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRF530NSPBF 是英飞凌（Infineon Technologies）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于各种电力电子场景。以下是其主要应用场景：

1. 开关电源（SMPS）：  
   IRF530NSPBF 的低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它可以在高频下高效工作，适用于 DC-DC 转换器、反激式变换器等。

2. 电机驱动：  
   该 MOSFET 常用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。其耐压能力（100V）和较低的导通电阻（0.16Ω 典型值）能够有效减少功率损耗，并提供稳定的电流输出。

3. 音频功放（Class D 放大器）：  
   在 D 类音频放大器中，IRF530NSPBF 可作为输出级的开关器件。它的高效率和低热耗散特性有助于实现高质量的音频信号放大。

4. 负载切换与保护：  
   它可用于负载切换电路中，例如电池管理系统中的充放电控制、负载短路保护等。其内置的雪崩能量处理能力增强了系统的可靠性。

5. 逆变器和 UPS 系统：  
   在小型逆变器或不间断电源（UPS）中，IRF530NSPBF 能够实现交流波形的生成和调节，确保稳定输出。

6. LED 驱动器：  
   对于需要较高电流的 LED 照明应用，该 MOSFET 可用作 PWM 调光控制的核心元件，提供精确的亮度调节。

7. 汽车电子：  
   尽管 IRF530NSPBF 不是专为汽车设计，但在一些非关键车载系统中（如车窗升降、座椅调节等），它仍可胜任相关任务。

总之，IRF530NSPBF 凭借其优异的电气性能和成本优势，在消费电子、工业控制及家用电器等领域得到了广泛应用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 100V 17A D2PAKMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 90mOhms 24.7nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	17 A
Id-连续漏极电流	17 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF530NSPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRF530NSPBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	3.8 W
Pd-功率耗散	3.8 W
Qg-GateCharge	24.7 nC
Qg-栅极电荷	24.7 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	90 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	90 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	22 ns
下降时间	25 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	920pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	37nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	90 毫欧 @ 9A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D2PAK
其它名称	*IRF530NSPBF
典型关闭延迟时间	35 ns
功率-最大值	3.8W
功率耗散	3.8 W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	90 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	D2PAK-2
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	24.7 nC
标准包装	50
汲极/源极击穿电压	100 V
漏极连续电流	17 A
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	17A （Tc）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf530ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf530ns.spi
通道模式	Enhancement
配置	Single
闸/源击穿电压	20 V