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Datasheet下载- 型号： SI2303BDS-T1-E3
- 制造商： Vishay
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SI2303BDS-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2303BDS-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2303BDS-T1-E3价格参考。VishaySI2303BDS-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 30V 1.49A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载SI2303BDS-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2303BDS-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2303BDS-T1-E3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用小型SOT-23封装，适用于空间受限的便携式电子设备。其主要应用场景包括： 1. 电源管理开关：常用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，实现低功耗待机与快速响应。 2. 电压反转与电平转换：在数字电路中用于逻辑电平转换，例如将3.3V信号控制5V或更低电压系统，广泛应用于微控制器接口、I²C总线等通信模块。 3. 过压/反向电压保护：可构建简易的反接保护电路，防止电池反接损坏后级电路，常见于移动电源、充电器和小型电源模块中。 4. 便携式消费类电子产品：因其小尺寸和低导通电阻（Rds(on)），适合用于蓝牙耳机、USB设备、数码相机等对体积和效率要求高的产品。 5. LED驱动与小功率负载控制：可用于控制小电流LED指示灯或传感器模块的开启与关闭。 SI2303BDS-T1-E3具备良好的热稳定性与可靠性，工作温度范围宽（-55°C 至 +150°C），适合工业与消费类应用。其无铅环保设计符合RoHS标准，便于自动化贴装，是高密度PCB设计中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3MOSFET 30V 1.7A 1.25W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.3 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72065 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2303BDS-T1-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI2303BDS-T1-E3SI2303BDS-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 700 mW |
| Pd-功率耗散 | 700 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 180pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 200 毫欧 @ 1.7A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | SI2303BDS-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.49A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI2303BDS-E3 |
