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产品简介:
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FQPF32N12V2是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于多种电力电子系统中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电源适配器,用于高效能、高频率的开关操作。 2. 电机控制:用于直流电机驱动器和无刷电机控制系统中,提供高效的功率开关功能。 3. 逆变器与变频器:在UPS(不间断电源)、太阳能逆变器和工业变频器中作为功率开关元件,实现电能转换与调节。 4. 汽车电子:用于车载电源系统、电动助力转向系统(EPS)及车载充电器等应用中,满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 5. 工业自动化:在PLC、伺服驱动器和工业电源模块中,作为高频率、高效率的功率开关器件。 该器件具有低导通电阻、高耐压(120V)和大电流承载能力(32A),适合高效率、高功率密度的设计需求。同时,其封装形式(TO-220)便于散热和安装,适用于多种中高功率应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 120V 32A TO-220F |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQPF32N12V2 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1860pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 50 毫欧 @ 16A,10V |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 50W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 120V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 32A (Tc) |