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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 2N6800
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N6800由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N6800价格参考。American Microsemiconductor, Inc.2N6800封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N6800参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N6800 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下公司）生产的2N6800是一款N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），属于单MOSFET器件，广泛应用于中低功率开关和模拟信号控制场景。 2N6800主要适用于电源管理、开关电路和信号放大等应用。常见使用场景包括直流电机控制、LED驱动电路、电源开关模块以及各类消费类电子产品中的电压切换功能。由于其具备较高的输入阻抗和较低的驱动功耗，适合用于由微控制器或逻辑电路直接驱动的数字开关系统。 此外，2N6800也常用于工业控制设备中的继电器驱动、传感器信号调理电路及小功率逆变器设计中，提供高效、快速的开关响应。在电池供电设备中，因其导通电阻适中、静态功耗低，有助于延长电池使用寿命。 该器件采用TO-92封装，体积小巧，便于集成于紧凑型电路板中，适合对空间要求较高的便携式电子设备。同时，2N6800具有良好的热稳定性和可靠性，可在较宽温度范围内稳定工作，适用于民用、工业级环境。 综上所述，2N6800凭借其稳定的性能和经济的成本，广泛应用于家电控制、通信设备、电源转换、自动控制等领域，是基础电子设计中常用的通用型N沟道MOSFET之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V TO-205AF TO-39 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/8876-lds-0047-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 2N6800 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.75nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1 欧姆 @ 2A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-39 |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-205AF |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Tc） |
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