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  • 型号: RUF020N02TL
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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RUF020N02TL产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RUF020N02TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RUF020N02TL价格参考。ROHM SemiconductorRUF020N02TL封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 2A(Ta) 320mW(Ta) TUMT3。您可以下载RUF020N02TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RUF020N02TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor的RUF020N02TL是一款N沟道MOSFET,常用于需要高效能和高可靠性的电路设计中。该器件主要应用于以下几个场景:

1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、电源开关等场景,因其低导通电阻和高效率,有助于提高电源系统的整体性能。

2. 电机控制:在小型电机驱动电路中,RUF020N02TL可作为开关元件,实现对电机启停和转速的精确控制。

3. 负载开关:用于智能负载管理,如电池供电设备中的电源切换,具有快速响应和低功耗的优点。

4. LED照明:适用于LED驱动电路,支持恒流控制和调光功能,确保光源稳定且高效运行。

5. 工业自动化:作为工业控制模块中的关键元件,用于信号处理、传感器驱动和继电器替代方案。

6. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理和负载切换。

该MOSFET采用小型封装,适合高密度PCB布局,同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力,适用于多种中低功率应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Rohm Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

RUF020N02TL

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

180pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

2nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

105 毫欧 @ 2A,4.5V

供应商器件封装

TUMT3

其它名称

RUF020N02TLDKR

功率-最大值

320mW

包装

*

安装类型

表面贴装

封装/外壳

3-SMD,扁平引线

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2A (Ta)

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