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  • 型号: NTD110N02R-001
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTD110N02R-001由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD110N02R-001价格参考。ON SemiconductorNTD110N02R-001封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD110N02R-001参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD110N02R-001 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTD110N02R-001 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。该器件广泛应用于需要高效功率控制的场合。以下是其典型应用场景:

1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电源系统,提高能效并减少发热。

2. 电机驱动:用于电动工具、风扇、泵类等电机控制电路中,实现高速开关与高效驱动。

3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板、便携式充电器等,用于电池保护电路或功率开关,延长续航时间。

4. 工业控制:在PLC、继电器替代、工业电源模块中作为功率开关使用,提升系统稳定性与响应速度。

5. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED照明驱动、电动窗控制等场景,满足汽车环境对可靠性的要求。

6. 消费类电子产品:如智能家电、电动玩具、智能门锁等,用于控制高功率负载的通断。

该MOSFET具备高电流承载能力和小型封装,适合空间受限且对性能有要求的设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NTD110N02R-001

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3440pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

28nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.6 毫欧 @ 20A,10V

供应商器件封装

I-Pak

其它名称

NTD110N02R-001OS

功率-最大值

1.5W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

标准包装

75

漏源极电压(Vdss)

24V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12.5A (Ta), 110A (Tc)

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