Datasheet下载- 型号： ZVN2110GTA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN2110GTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN2110GTA价格参考￥2.12-￥2.49。Diodes Inc.ZVN2110GTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZVN2110GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVN2110GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZVN2110GTA是由Diodes Incorporated生产的一款N沟道增强型MOSFET，常用于低电压、中等功率的开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的高效能开关元件，支持低导通电阻与低门极电荷特性，提升能源效率。 2. 电机驱动：在小型电机控制电路中作为开关器件，实现对电机启停及转速的控制。 3. LED照明：用于LED驱动电路，实现恒流控制或PWM调光功能。 4. 工业自动化：作为工业控制系统中的开关元件，如PLC输出模块、传感器驱动等。 5. 消费类电子产品：广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、充电器等便携设备中，用于电源切换或负载保护。 6. 汽车电子：适合车载电源系统、车灯控制、电动窗等低功耗汽车应用。 该器件采用SOT-223封装，具有良好的热稳定性和可靠性，适合表面贴装工艺，适用于各类中低功率电子系统设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223MOSFET N-Chnl 100V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 500 mA |
| Id-连续漏极电流 | 500 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVN2110GTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVN2110GTA |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 4 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 75pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 欧姆 @ 1A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZVN2110G |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 8 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 500 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 500mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
