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Datasheet下载- 型号： IRF6678TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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IRF6678TRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6678TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6678TRPBF价格参考。International RectifierIRF6678TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 30A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET™ MX。您可以下载IRF6678TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6678TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）是一家全球领先的半导体公司，其产品广泛应用于汽车、工业、能源管理和消费电子等领域。型号为IRF6678TRPBF的MOSFET属于高性能功率MOSFET器件，主要应用于需要高效、高速开关和高电流承载能力的场景。 该MOSFET的应用场景主要包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器和开关电源（SMPS）中，以提高电源转换效率，广泛应用于服务器、通信设备和工业电源系统。 2. 电机控制：适用于无刷直流电机（BLDC）驱动、电动工具和工业自动化设备中，实现高效、快速的电机速度与扭矩控制。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电动车辆（如电动车、电动自行车）及储能系统中的电池充放电控制与保护电路。 4. 负载开关与电源分配：作为高侧或低侧开关，用于智能配电系统、热插拔电路和电源管理系统中，实现对负载的精确控制与保护。 5. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和光伏逆变器中，用于将直流电转换为交流电，要求高频开关能力和低导通损耗。 该器件采用先进的封装技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流能力，适用于高效率、高密度电源设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IRF6678TRPBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5640pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录绘图 |
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| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MX |
| 其它名称 | IRF6678TRPBFCT |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MX |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Ta）， 150A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6678.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6678.spi |
