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SI7112DN-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7112DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7112DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7112DN-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 11.3A(Tc) 1.5W(Ta) PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7112DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7112DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7112DN-T1-GE3 是一款 N 沱增强型功率 MOSFET,其主要应用场景包括以下方面: 1. 电源管理: 该 MOSFET 常用于 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)和负载开关中。其低导通电阻(Rds(on))特性可以有效降低功耗,提高效率,适用于笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子设备的电源管理系统。 2. 电机控制: 在小型直流电机驱动电路中,SI7112DN-T1-GE3 可作为开关器件使用,通过 PWM(脉宽调制)信号控制电机的速度和方向。其快速开关能力和低损耗使其非常适合此类应用。 3. 电池保护与管理: 该器件可用于电池组的充放电保护电路中,作为电流路径的开关,防止过流、短路或过充等异常情况。此外,它也可用于电池均衡电路中,以优化多节电池的性能。 4. 负载切换: 在需要频繁开启或关闭负载的应用中,例如 LED 驱动、继电器驱动或其他外围设备控制,SI7112DN-T1-GE3 提供了可靠的切换功能,同时保持较低的热损耗。 5. 通信设备: 在路由器、交换机和基站等通信设备中,这款 MOSFET 可用于信号调理、电源分配和热插拔保护电路中,确保系统的稳定性和可靠性。 6. 汽车电子: 尽管该型号主要用于消费类电子产品,但在某些低电压汽车应用中(如车内照明、娱乐系统或传感器接口),也可以考虑使用,尤其是在对尺寸和效率有严格要求的情况下。 总之,SI7112DN-T1-GE3 凭借其小封装(DFN2020-8)、低 Rds(on) 和高能效的特点,广泛应用于各种需要高效功率转换和开关控制的场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | SI7112DN-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2610pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.5 毫欧 @ 17.8A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7112DN-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11.3A (Tc) |