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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL8113由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL8113价格参考。International RectifierIRL8113封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRL8113参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRL8113 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)旗下的型号IRL8113是一种N沟道增强型MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)。该器件常用于中低功率的开关和功率控制应用。 应用场景主要包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器等,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源系统。 2. 电机控制:用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,常见于工业自动化、机器人及家电产品中。 3. 负载开关:作为电子开关控制电阻性或感性负载,例如LED照明、风扇和继电器。 4. 电池供电设备:如移动电源、电动工具和无人机,利用其低导通电阻(Rds(on))以提高能效。 5. 汽车电子:在车载系统中用于灯光控制、泵类驱动或其他辅助设备的功率控制。 IRL8113具备低栅极电荷和快速开关特性,适合高频操作。此外,它采用表面贴装封装,有利于节省PCB空间并实现自动化的生产组装。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IRL8113 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2840pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 毫欧 @ 21A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRL8113 |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 105A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irl8113sl.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irl8113sl.spi |