ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDFME2P823ZT
Datasheet下载- 型号： FDFME2P823ZT
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDFME2P823ZT产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDFME2P823ZT由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDFME2P823ZT价格参考。Fairchild SemiconductorFDFME2P823ZT封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 2.6A（Ta） 1.4W（Ta） 6-MicroFET（1.6x1.6）。您可以下载FDFME2P823ZT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDFME2P823ZT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDFME2P823ZT 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款P沟道MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具备低导通电阻、高效率和良好热性能的特点，适用于对空间和能效有较高要求的设计。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、电池供电设备中的开关元件，提升能效并延长电池寿命。 2. 负载开关：作为电子开关控制电源通断，常见于便携式设备、服务器和工业控制系统中。 3. 电机控制：用于小型电机或继电器驱动，实现快速开关和低损耗操作。 4. 保护电路：在过流或短路保护电路中作为开关元件，实现快速响应与隔离。 5. 通信设备：应用于基站、路由器等设备中的电源模块，确保高效稳定运行。 该MOSFET采用小型封装，适合高密度PCB布局，广泛用于消费电子、工业自动化及通信领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFETMOSFET -20V Integrated P-Ch PwrTrnch w/Sch Diode |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 2.3 A |
| Id-连续漏极电流 | - 2.3 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDFME2P823ZTPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDFME2P823ZT |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| Qg-GateCharge | 5.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 5.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 95 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 95 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.6 V |
| 上升时间 | 4.8 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 405pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 142 毫欧 @ 2.3A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-MicroFET（1.6x1.6） |
| 其它名称 | FDFME2P823ZTCT |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 25.200 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UMLP，6-MicroFET™ |
| 封装/箱体 | MicroFET-6 1.6x1.6 Thin |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.6A （Ta） |
| 系列 | FDFME2P823ZT |
| 配置 | Single with Schottky Diode |
