【未分类_PSMN6R3-120PS】封装/厂家_PSMN6R3-120PS中文资料_价格

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型号： PSMN6R3-120PS
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN6R3-120PS由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN6R3-120PS价格参考。NXP SemiconductorsPSMN6R3-120PS封装/规格：未分类，暂无。您可以下载PSMN6R3-120PS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN6R3-120PS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN6R3-120PS 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景：

 1. 电源管理
   - DC-DC 转换器：PSMN6R3-120PS 的低导通电阻（Rds(on)）特性使其非常适合用于高效能的降压或升压 DC-DC 转换器中，能够减少功率损耗并提高转换效率。
   - 开关电源 (SMPS)：该 MOSFET 可用作开关元件，在开关电源中实现高效的电压调节和电流控制。

 2. 电机驱动
   - 无刷直流电机 (BLDC)：在 BLDC 电机驱动电路中，PSMN6R3-120PS 可用于驱动和控制电机相位切换，提供稳定的电流输出。
   - 步进电机驱动：适用于需要精确控制的步进电机应用，如打印机、扫描仪和其他自动化设备。

 3. 负载开关
   - 负载通断控制：该器件可用作负载开关，快速、可靠地接通或断开负载电路，广泛应用于消费电子和工业设备中。
   - 电池管理系统 (BMS)：在电池供电设备中，作为电池与负载之间的开关，保护电池免受过流、短路等损害。

 4. 汽车电子
   - 车载电子系统：例如电动座椅、车窗升降器、雨刷控制系统等，PSMN6R3-120PS 能够承受汽车环境中的高电压和温度波动。
   - LED 照明驱动：用于汽车 LED 灯光系统的驱动电路，确保亮度稳定且能耗低。

 5. 工业应用
   - 逆变器：在小型逆变器中用作开关元件，将直流电转换为交流电。
   - 继电器替代：由于其快速开关特性和可靠性，可以替代传统机械继电器，用于各种工业控制场景。

 6. 消费类电子产品
   - 笔记本电脑适配器：用于电源适配器中的功率转换部分，提升充电效率。
   - 家用电器：如空调、冰箱、洗衣机等设备中的风扇控制和压缩机驱动。

 总结
PSMN6R3-120PS 凭借其低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关、汽车电子、工业控制以及消费类电子产品等领域。其出色的性能和可靠性使其成为许多设计中的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N CH 120V 70A TO-220MOSFET N-Channel MOSFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	70 A
Id-连续漏极电流	70 A
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN6R3-120PS-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	PSMN6R3-120PS
Pd-PowerDissipation	405 W
Pd-功率耗散	405 W
Qg-GateCharge	207.1 nC
Qg-栅极电荷	207.1 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	19.4 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	19.4 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	120 V
Vds-漏源极击穿电压	120 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	4.6 V
Vgsth-栅源极阈值电压	4.6 V
上升时间	58.2 ns
下降时间	67.7 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	11384pF @ 60V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	207.1nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	6.7 毫欧 @ 25A， 10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
其它名称	568-10168-5 934067189127 PSMN6R3120PS
典型关闭延迟时间	142.1 ns
功率-最大值	405W
包装	管件
商标	NXP Semiconductors
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	120V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	70A （Tmb）
配置	Single