Datasheet下载- 型号： IRF1010NSPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1010NSPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1010NSPBF价格参考。International RectifierIRF1010NSPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF1010NSPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF1010NSPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRF1010NSPBF是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。其主要应用场景包括以下方面： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：IRF1010NSPBF适用于各种开关电源设计，如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。它能够高效地切换电流，从而实现稳定的电压输出。 - 电池充电器：用于锂离子电池或其他可充电电池的充电电路中，提供高效的充电控制和保护功能。 2. 电机驱动 - 直流电机控制：可用于小型直流电机的启动、停止、速度调节和方向控制。 - 步进电机驱动：在需要精确控制的步进电机应用中，该MOSFET可以作为功率开关使用。 3. 逆变器 - 太阳能逆变器：在光伏系统中，IRF1010NSPBF可以用作功率开关，将直流电转换为交流电，以供家庭或工业使用。 - UPS（不间断电源）：在UPS系统中，该MOSFET可用于逆变电路，确保在主电源中断时提供备用电力。 4. 负载开关 - 在电子设备中用作负载开关，控制不同电路模块的通断，降低功耗并提高系统的可靠性。 5. 音频放大器 - 在D类音频放大器中，该MOSFET可用作输出级开关，提供高效率和低失真的音频信号放大。 6. 汽车电子 - 车载电子设备：如车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制系统等，需要高性能功率开关的应用场景。 - LED照明：用于汽车LED灯的驱动电路中，提供高效且稳定的电流控制。 7. 工业自动化 - 继电器替代：在工业控制系统中，可以用IRF1010NSPBF替代传统机械继电器，实现更快速、更可靠的开关操作。 - 传感器接口：用于工业传感器的信号处理和功率控制。 特性优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：减少功率损耗，提高效率。 - 高击穿电压：适合高压环境下的应用。 - 快速开关速度：降低开关损耗，支持高频应用。 综上所述，IRF1010NSPBF广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和可再生能源等领域，是一款性能优异的功率MOSFET。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 85A D2PAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 84 A |
| Id-连续漏极电流 | 84 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF1010NSPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF1010NSPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.8 W |
| Pd-功率耗散 | 3.8 W |
| Qg-GateCharge | 80 nC |
| Qg-栅极电荷 | 80 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 76 ns |
| 下降时间 | 48 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3210pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 43A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRF1010NSPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
| 功率-最大值 | 180W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 32 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 85A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf1010ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf1010ns.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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