Datasheet下载- 型号： SI2325DS-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2325DS-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2325DS-T1-E3价格参考。VishaySI2325DS-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI2325DS-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2325DS-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2325DS-T1-E3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用小型SOT-23封装，适用于空间受限的便携式电子设备。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、良好的开关性能和高可靠性，广泛应用于各类低电压、低功耗场景。 主要应用场景包括：便携式电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与负载开关；电池供电系统中的反向极性保护和电池切换控制；DC-DC转换器中的同步整流或开关元件；以及各类小型电机驱动、LED驱动电路和信号开关电路。其SOT-23小尺寸封装适合高密度PCB布局，有利于缩小整体产品体积。 此外，SI2325DS-T1-E3符合RoHS环保标准，具备良好的热稳定性和抗干扰能力，适用于工业控制、消费类电子和通信模块等对稳定性和效率要求较高的场合。由于其P沟道特性，常用于高端驱动或简化栅极驱动设计，降低系统复杂度。 综上，SI2325DS-T1-E3是一款高效、紧凑的功率开关器件，特别适合需要小型化、低功耗和高可靠性的现代电子系统应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3MOSFET 150V 0.69A 0.75W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 530 mA |
| Id-连续漏极电流 | 530 mA |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2325DS-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?73238 |
| 产品型号 | SI2325DS-T1-E3SI2325DS-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 750 mW |
| Pd-功率耗散 | 750 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 510pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | P-Channel MOSFETs |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | SI2325DS-T1-E3CT |
| 功率-最大值 | 750mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 530mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI2325DS-E3 |
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