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  • 型号: PMPB15XP,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PMPB15XP,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMPB15XP,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMPB15XP,115价格参考。NXP SemiconductorsPMPB15XP,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 12V 8.2A (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6。您可以下载PMPB15XP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMPB15XP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PMPB15XP,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET(单个封装),采用小型 SOT-23 表面贴装封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 95 mΩ @ VGS = −4.5 V)、低栅极电荷(Qg ≈ 4.5 nC)及快速开关特性。其额定电压为 −20 V,连续漏极电流达 −2.6 A(Tamb = 25°C),适合低压、中低功率应用。

典型应用场景包括:  
✅ 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路,用于控制外设供电通断,降低静态功耗;  
✅ DC-DC 转换器同步整流:在降压(Buck)转换器中作为同步整流管,提升转换效率(尤其在 1–5 V 输出范围内);  
✅ LED 驱动与背光控制:用于中小尺寸 LCD/OLED 显示屏的背光调光或段式 LED 开关;  
✅ 接口保护与电平转换:配合逻辑控制器实现 I²C/SPI 等总线的双向电平位移或上拉/下拉切换;  
✅ 电机驱动辅助电路:在微型直流电机或振动马达的 H 桥驱动中用作高边/低边开关(需注意驱动电压匹配)。

该器件因小尺寸、低功耗和高可靠性,广泛适用于空间受限、对能效敏感的消费类与工业嵌入式系统。使用时需注意栅极驱动电压范围(推荐 VGS ≤ −4.5 V 以确保充分导通),并合理设计 PCB 散热(SOT-23 封装热阻较高)。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 12V 8.2A 6DFN

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

产品型号

PMPB15XP,115

PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

900mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2875pF @ 6V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

100nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

19 毫欧 @ 8.2A,4.5V

供应商器件封装

6-DFN2020MD (2x2)

其它名称

568-10453-2
934066615115
PMPB15XP,115-ND

功率-最大值

1.7W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-UDFN 裸露焊盘

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

12V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/low-rdson-mosfets-in-ultra-small-packages/3946

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.2A (Ta)

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