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PMPB15XP,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMPB15XP,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMPB15XP,115价格参考。NXP SemiconductorsPMPB15XP,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 12V 8.2A (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6。您可以下载PMPB15XP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMPB15XP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMPB15XP,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET(单个封装),采用小型 SOT-23 表面贴装封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 95 mΩ @ VGS = −4.5 V)、低栅极电荷(Qg ≈ 4.5 nC)及快速开关特性。其额定电压为 −20 V,连续漏极电流达 −2.6 A(Tamb = 25°C),适合低压、中低功率应用。 典型应用场景包括: ✅ 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路,用于控制外设供电通断,降低静态功耗; ✅ DC-DC 转换器同步整流:在降压(Buck)转换器中作为同步整流管,提升转换效率(尤其在 1–5 V 输出范围内); ✅ LED 驱动与背光控制:用于中小尺寸 LCD/OLED 显示屏的背光调光或段式 LED 开关; ✅ 接口保护与电平转换:配合逻辑控制器实现 I²C/SPI 等总线的双向电平位移或上拉/下拉切换; ✅ 电机驱动辅助电路:在微型直流电机或振动马达的 H 桥驱动中用作高边/低边开关(需注意驱动电压匹配)。 该器件因小尺寸、低功耗和高可靠性,广泛适用于空间受限、对能效敏感的消费类与工业嵌入式系统。使用时需注意栅极驱动电压范围(推荐 VGS ≤ −4.5 V 以确保充分导通),并合理设计 PCB 散热(SOT-23 封装热阻较高)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 8.2A 6DFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PMPB15XP,115 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2875pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 19 毫欧 @ 8.2A,4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-DFN2020MD (2x2) |
| 其它名称 | 568-10453-2 |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/low-rdson-mosfets-in-ultra-small-packages/3946 |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.2A (Ta) |