Datasheet下载- 型号： TK12P60W,RVQ
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK12P60W,RVQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK12P60W,RVQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK12P60W,RVQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK12P60W,RVQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK12P60W,RVQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage生产的TK12P60W,RVQ是一款晶体管 - FET，MOSFET - 单类型的产品。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理：该MOSFET适用于各种电源管理应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块。由于其低导通电阻特性，能够有效降低功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动：在小型电机控制中，如家用电器、工业自动化设备中的电机驱动电路，TK12P60W,RVQ可以作为开关元件，实现高效、稳定的电机速度和方向控制。 3. 负载开关：用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑等）中的负载开关，能够快速开启或关闭电流路径，同时减少静态功耗。 4. 保护电路：在过流保护、短路保护等电路设计中，该MOSFET可充当关键的开关或限流元件，确保系统在异常情况下安全运行。 5. 通信设备：适用于基站、路由器等通信设备中的信号切换和功率控制，提供稳定可靠的性能。 6. 汽车电子：在车载电子系统中，例如车窗升降器、座椅调节器以及照明控制等，这款MOSFET能承受较高的电压和电流波动，满足汽车环境的特殊要求。 总之，TK12P60W,RVQ凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、通信及汽车等领域，为各类电子产品提供高效的功率转换与控制解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 890 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 600V 11.5A DPAKMOSFET DTMOSIV 600V 340mOhm 115A 100W 890pF 25nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 11.5 A |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK12P60W |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK12P60W,RVQ- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK12P60W |
| 产品型号 | TK12P60W,RVQTK12P60W,RVQ |
| Pd-PowerDissipation | 100 W |
| Pd-功率耗散 | 100 W |
| Qg-GateCharge | 25 nC |
| Qg-栅极电荷 | 25 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 340 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 340 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.7 V to 3.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.7 V to 3.7 V |
| 上升时间 | 23 ns |
| 下降时间 | 5.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 600µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 890pF @ 300V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 340 毫欧 @ 5.8A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | TK12P60WRVQDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 85 ns |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Toshiba |
| 商标名 | DTMOSIV |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.5A （Ta） |
| 配置 | Single |
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