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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPA50R650CE由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPA50R650CE价格参考。InfineonIPA50R650CE封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPA50R650CE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPA50R650CE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌)的IPA50R650CE是一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏源击穿电压和较低的导通电阻,适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。该器件广泛应用于以下场景: 1. 电源适配器与充电器:用于笔记本电脑、手机等电子设备的高效AC-DC电源转换设计中,支持高效率与小型化需求。 2. 工业电源与服务器电源:在服务器、通信设备等高可靠性电源系统中,作为主开关管用于PFC(功率因数校正)电路或DC-DC转换电路,提升能效并降低损耗。 3. 太阳能逆变器:在光伏逆变系统中用于DC-AC转换电路,支持高频率开关,提升系统效率和功率密度。 4. 电动汽车充电设备:应用于车载充电机(OBC)或充电桩电源模块中,满足高电压、高效率的电能转换需求。 5. 电机驱动与逆变器:用于工业电机控制、变频器等场景,作为高频开关元件,实现对电机的高效控制。 该MOSFET采用超结技术,具备低导通损耗和开关损耗,适合高频开关应用,同时具备良好的热稳定性和耐用性,适用于多种高功率、高性能场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl?folderId=db3a304314dca38901152836c5a412ab&fileId=db3a304336ca04c90136dec71b8e23dc&ic=0220007http://www.infineon.com/dgdl/IPA50R650CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339d29c450139d4d1cdd003a9 |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IPA50R650CE |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 342pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 650 毫欧 @ 1.8A, 13V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 供应商器件封装 | PG-TO-220-FP |
| 其它名称 | IPA50R650CEXKSA1 |
| 功率-最大值 | 27W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 应用说明 | http://www.infineon.com/dgdl/Infineon+-+AN+2012-04+-+CoolMOS+500V+CE+v1+0.pdf?folderId=db3a3043353fdc1601355231f4834785&fileId=db3a304336ca04c90136ea3a92e736f6 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.1A (Tc) |