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  • 型号: IPA50R650CE
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPA50R650CE由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPA50R650CE价格参考。InfineonIPA50R650CE封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPA50R650CE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPA50R650CE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌)的IPA50R650CE是一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏源击穿电压和较低的导通电阻,适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。该器件广泛应用于以下场景:

1. 电源适配器与充电器:用于笔记本电脑、手机等电子设备的高效AC-DC电源转换设计中,支持高效率与小型化需求。

2. 工业电源与服务器电源:在服务器、通信设备等高可靠性电源系统中,作为主开关管用于PFC(功率因数校正)电路或DC-DC转换电路,提升能效并降低损耗。

3. 太阳能逆变器:在光伏逆变系统中用于DC-AC转换电路,支持高频率开关,提升系统效率和功率密度。

4. 电动汽车充电设备:应用于车载充电机(OBC)或充电桩电源模块中,满足高电压、高效率的电能转换需求。

5. 电机驱动与逆变器:用于工业电机控制、变频器等场景,作为高频开关元件,实现对电机的高效控制。

该MOSFET采用超结技术,具备低导通损耗和开关损耗,适合高频开关应用,同时具备良好的热稳定性和耐用性,适用于多种高功率、高性能场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP

产品分类

FET - 单

FET功能

超级结

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl?folderId=db3a304314dca38901152836c5a412ab&fileId=db3a304336ca04c90136dec71b8e23dc&ic=0220007http://www.infineon.com/dgdl/IPA50R650CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339d29c450139d4d1cdd003a9

产品图片

产品型号

IPA50R650CE

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

CoolMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 150µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

342pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

15nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

650 毫欧 @ 1.8A, 13V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318

供应商器件封装

PG-TO-220-FP

其它名称

IPA50R650CEXKSA1
SP000992086

功率-最大值

27W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3 整包

应用说明

http://www.infineon.com/dgdl/Infineon+-+AN+2012-04+-+CoolMOS+500V+CE+v1+0.pdf?folderId=db3a3043353fdc1601355231f4834785&fileId=db3a304336ca04c90136ea3a92e736f6

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.1A (Tc)

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