Datasheet下载- 型号： HUFA75639S3ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUFA75639S3ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUFA75639S3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUFA75639S3ST封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUFA75639S3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUFA75639S3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUFA75639S3ST 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款单N沟道增强型MOSFET，常用于中高功率开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流器和电源开关电路，用于提高电源转换效率。 2. 电机控制：在直流电机或步进电机驱动电路中作为功率开关，实现电机的启停与调速。 3. 负载开关：用于控制高电流负载的通断，如LED照明、加热元件或风扇等。 4. 电池管理系统（BMS）：在电池充放电管理电路中作为开关元件，保护电池免受过流或短路损害。 5. 工业自动化：用于PLC输出模块、继电器替代方案及工业控制设备中的功率开关。 该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能，适合需要高效、可靠开关操作的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA75639S3ST |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 56A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | HUFA75639S3STDKR |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 56A （Tc） |
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