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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SIHF22N60E-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,具有高耐压(600V)、大电流(22A)特性,适用于多种功率电子设备。其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和 AC-DC 电源适配器,用于高效能电能转换。 2. 电机驱动:在工业自动化和家电中用于控制电机转速与方向,适用于变频器及电机控制模块。 3. 照明系统:如 LED 驱动电源、智能照明调光系统,支持高效率与稳定输出。 4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中,用于直流电转交流电的关键转换环节。 5. 汽车电子:如车载充电器、电池管理系统(BMS)和电动工具,具备高可靠性和耐高温性能。 6. 家电控制:应用于电磁炉、洗衣机、空调等家电中的功率控制电路。 该器件采用 TO-220 封装,便于散热和安装,适合中高功率应用场景。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高系统效率并减少发热,是工业与消费类电子产品中常用的功率开关元件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SIHF22N60E-GE3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1920pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 86nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 180 毫欧 @ 11A,10V |
供应商器件封装 | TO-220 整包 |
功率-最大值 | 35W |
包装 | 散装 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 21A (Tc) |