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Datasheet下载- 型号： BUK9508-55B,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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BUK9508-55B,127产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9508-55B,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9508-55B,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK9508-55B,127封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 203W（Tc） TO-220AB。您可以下载BUK9508-55B,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK9508-55B,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BUK9508-55B,127 是一款高性能的 N 沱增强型 MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件特别适用于汽车电子系统，如电动车辆（EV）和混合动力车辆（HEV）中的电池管理系统、DC-DC 转换器以及电机控制器。此外，它也常见于工业自动化设备、电源供应器、UPS（不间断电源）系统以及太阳能逆变器等高功率转换应用。其低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力使其在高频开关应用中表现出色，有助于提高系统效率并减少热量产生。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 75A TO220ABMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 110 A |
| Id-连续漏极电流 | 110 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK9508-55B,127TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK9508-55B,127 |
| Pd-PowerDissipation | 203 W |
| Pd-功率耗散 | 203 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| 上升时间 | 123 ns |
| 下降时间 | 86 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5280pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-5726 |
| 典型关闭延迟时间 | 131 ns |
| 功率-最大值 | 203W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A (Tmb) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | BUK9508-55B |
