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PSMN1R1-40BS,118产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R1-40BS,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R1-40BS,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R1-40BS,118封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 40V 120A (Tc) 306W (Tc) Surface Mount D2PAK。您可以下载PSMN1R1-40BS,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN1R1-40BS,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN1R1-40BS,118 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 通道增强型功率 MOSFET,属于晶体管中的 FET/MOSFET 单管类别。该器件具有低导通电阻(典型值仅为 1.1mΩ)、高电流承载能力和优异的开关性能,适用于高效率、高密度电源系统。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛用于 DC-DC 转换器、同步整流电源模块和电压调节模块(VRM),特别是在服务器、笔记本电脑和通信设备中实现高效能量转换。 2. 电机驱动:适用于小型电机控制电路,如电动工具、家用电器和工业自动化设备中的 H 桥或半桥驱动结构。 3. 电池管理系统(BMS):在锂离子电池保护板中作为充放电控制开关,利用其低导通损耗提升系统能效与热稳定性。 4. 汽车电子:用于车载电源系统、LED 照明驱动及辅助电机控制,满足 AEC-Q101 可靠性要求(需确认具体认证状态)。 5. 负载开关与电源切换:适合高性能负载开关应用,提供快速响应和低静态功耗。 该 MOSFET 采用 LFPAK 封装(类似 TO-263),具备优良的散热性能和可靠性,适合自动化贴片生产。其 40V 耐压等级适配 12V 至 24V 系统,是追求高效率和紧凑设计应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAKMOSFET Std N-chanMOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN1R1-40BS,118- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN1R1-40BS,118 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 306 W |
| Pd-功率耗散 | 306 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.3 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9710pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 136nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.3 毫欧 @ 25A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9475-1 |
| 功率-最大值 | 306W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.3 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 120 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |
| 配置 | Single |