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Datasheet下载- 型号： PSMN1R1-40BS,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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PSMN1R1-40BS,118产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R1-40BS,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R1-40BS,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R1-40BS,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 40V 120A (Tc) 306W (Tc) Surface Mount D2PAK。您可以下载PSMN1R1-40BS,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN1R1-40BS,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN1R1-40BS,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具有超低导通电阻（Rds(on) 典型值仅 1.1 mΩ @ Vgs=10V，2.0 mΩ @ Vgs=4.5V）和优异的开关性能。其主要应用场景包括： - 高效率DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK/BOOST转换器，降低导通损耗，提升系统能效（尤其适用于12V/48V输入、大电流输出场景）； - 电动工具与电池供电设备：凭借低Rds(on)和强电流能力（ID=120A pulsed），适用于无刷电机驱动的H桥功率级，支持高功率密度与长续航； - 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101标准（该型号为工业级，但同系列有车规版本），可用于车载USB PD快充模块、LED矩阵驱动、电子保险丝等对可靠性与热性能要求严苛的场合； - 固态继电器（SSR）与负载开关：作为低损耗、快速响应的主开关器件，替代机械继电器，用于PLC输出模块、智能电表电源管理等工业控制应用。 其LFPAK56封装具备优异的热传导性能与PCB贴装可靠性，适合紧凑型高功率设计。需注意：实际应用中应配合合理驱动（如栅极驱动IC）、PCB铜箔散热设计及过流/过温保护电路以确保长期稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAKMOSFET Std N-chanMOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN1R1-40BS,118- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN1R1-40BS,118 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 306 W |
| Pd-功率耗散 | 306 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.3 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9710pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 136nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.3 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9475-1 |
| 功率-最大值 | 306W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.3 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 120 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 配置 | Single |
