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- 型号： IXTP1R4N120P
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTP1R4N120P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTP1R4N120P价格参考。IXYSIXTP1R4N120P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTP1R4N120P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTP1R4N120P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTP1R4N120P是一款高压MOSFET晶体管，主要用于高电压和中等功率的应用场景。该器件具备较高的击穿电压（1200V）和良好的导通性能，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。 典型应用场景包括： 1. 电源转换设备：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器等，用于工业自动化、通信设备及服务器电源系统中。 2. 电机驱动与变频器：在电机控制、变频驱动系统中作为高频开关元件，适用于家电（如变频空调）、电动工具和工业电机控制系统。 3. 新能源领域：如太阳能逆变器、储能系统中的功率变换模块，适用于光伏逆变器和微逆变器设计。 4. 照明系统：用于LED路灯或大功率照明设备的恒流驱动电路中。 5. 电动汽车相关应用：包括车载充电器、电池管理系统中的功率控制部分。 该MOSFET采用TO-220封装，便于散热和安装，适合中低功率密度设计。由于其高压特性，在设计时需注意栅极驱动电压和开关保护电路，以确保稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXTP1R4N120P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | Polar™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 666pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13 欧姆 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 86W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.4A （Tc） |
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