Datasheet下载- 型号： FQB7P06TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB7P06TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB7P06TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB7P06TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB7P06TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB7P06TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB7P06TM 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款P沟道MOSFET，主要应用于需要高效功率控制的场合。其典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、负载开关和电源管理系统中，实现对电流的高效控制，提升能效并减少发热。 2. 电池供电设备：常见于笔记本电脑、平板、智能手机等便携设备中，用于电池充放电管理及电源切换，具备低导通电阻，有助于延长电池续航。 3. 电机控制：在小型电机驱动电路中作为开关元件，控制电机启停与转速，适用于电动工具、无人机和机器人等设备。 4. 负载开关与热插拔保护：用于服务器和通信设备中，作为负载开关控制外围设备的供电，防止过流和短路损坏系统。 5. 工业自动化：在PLC（可编程逻辑控制器）和工业变频器中用于控制继电器、传感器和执行器的电源通断，提升系统稳定性和响应速度。 该器件采用TDFN封装，体积小、散热好，适合高密度PCB布局，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 7A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB7P06TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 295pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 410 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A （Tc） |
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