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IRFBC30PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBC30PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBC30PBF价格参考。VishayIRFBC30PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFBC30PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFBC30PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFBC30PBF 是 Vishay Siliconix 生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性,适合中低功率的开关应用。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于 DC-DC 转换器、同步整流器及电源开关电路中,提高能效并减小电路体积。 2. 负载开关:在电池供电设备中作为高边或低边开关,实现对负载的快速控制,如便携式电子产品、笔记本电脑和智能电表。 3. 电机控制:用于小型直流电机或继电器的驱动控制,适用于家电、工业自动化和电动工具。 4. 保护电路:作为过流、过压或反向电压保护开关,提升系统可靠性。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED 照明控制及传感器供电管理等场景。 该 MOSFET 采用 TO-252 封装,便于散热和焊接,适合表面贴装工艺,广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220ABMOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.6 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFBC30PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFBC30PBFIRFBC30PBF |
| Pd-PowerDissipation | 74 W |
| Pd-功率耗散 | 74 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.2 欧姆 @ 2.2A,10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRFBC30PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 74W |
| 功率耗散 | 74 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 2.2 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 3.6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.6A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |