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  • 型号: IRFBC30PBF
  • 制造商: Vishay
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IRFBC30PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBC30PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBC30PBF价格参考。VishayIRFBC30PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFBC30PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFBC30PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFBC30PBF 是 Vishay Siliconix 生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性,适合中低功率的开关应用。

主要应用场景包括:

1. 电源管理:用于 DC-DC 转换器、同步整流器及电源开关电路中,提高能效并减小电路体积。
2. 负载开关:在电池供电设备中作为高边或低边开关,实现对负载的快速控制,如便携式电子产品、笔记本电脑和智能电表。
3. 电机控制:用于小型直流电机或继电器的驱动控制,适用于家电、工业自动化和电动工具。
4. 保护电路:作为过流、过压或反向电压保护开关,提升系统可靠性。
5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED 照明控制及传感器供电管理等场景。

该 MOSFET 采用 TO-252 封装,便于散热和焊接,适合表面贴装工艺,广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220ABMOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

3.6 A

Id-连续漏极电流

3.6 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFBC30PBF-

数据手册

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产品型号

IRFBC30PBFIRFBC30PBF

Pd-PowerDissipation

74 W

Pd-功率耗散

74 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.2 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

2.2 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

13 ns

下降时间

14 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

660pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

31nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.2 欧姆 @ 2.2A,10V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRFBC30PBF

典型关闭延迟时间

35 ns

功率-最大值

74W

功率耗散

74 W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

2.2 Ohms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

600 V

漏极连续电流

3.6 A

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.6A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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