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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BS170RL1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BS170RL1G价格参考。ON SemiconductorBS170RL1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BS170RL1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BS170RL1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的BS170RL1G是一款N沟道增强型MOSFET,属于小信号MOSFET类别,广泛应用于低电压、低功率场景。其主要特点包括低栅极电荷、快速开关响应和较高的输入阻抗,适合高频与数字开关电路。 典型应用场景包括: 1. 开关电源:用于DC-DC转换器、LED驱动电路中的低电流开关控制,实现高效能能量转换。 2. 逻辑电路接口:在微控制器(MCU)或数字逻辑电路中作为电平转换或负载驱动元件,控制继电器、LED或小型电机等外设。 3. 便携式电子设备:因其低功耗特性,常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理与信号切换。 4. 信号路由与多路复用:在模拟开关电路中用于选择不同信号路径,适用于传感器信号切换或音频/视频信号控制。 5. 保护电路:作为防反接或过流保护元件,在电池供电系统中防止电流倒灌。 BS170RL1G采用SOT-23封装,体积小巧,便于高密度布局,适用于空间受限的电子产品。其最大漏源电压为60V,连续漏极电流约500mA,适合中小功率应用。由于导通电阻相对较低(约5Ω),在轻载条件下具有良好的效率表现。总体而言,该器件以高可靠性、成本效益和广泛适用性,成为消费电子、工业控制和通信设备中常见的基础元器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CHAN 60V 500MA TO-92 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BS170RL1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 60pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5 欧姆 @ 200mA,10V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | BS170RL1GOSCT |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 500mA (Ta) |