Datasheet下载- 型号： FQA10N60C
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQA10N60C由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA10N60C价格参考。Fairchild SemiconductorFQA10N60C封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQA10N60C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQA10N60C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQA10N60C 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，常用于高电压、中等电流的开关应用。该器件具有10A连续漏极电流和600V漏源击穿电压，具备良好的导通电阻和开关特性，适用于多种功率电子系统。 其典型应用场景包括： 1. 电源转换器：如AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）中作为主开关元件，实现高效能的能量转换。 2. 电机驱动：用于直流电机或步进电机的控制电路中，提供快速开关和低损耗操作。 3. 照明系统：如LED驱动电源中，用于恒流控制或作为高频开关元件。 4. 工业自动化设备：在PLC、变频器、伺服驱动器等工业控制系统中用于功率开关控制。 5. 家电控制：如电磁炉、电饭煲等高功率家用电器中用于负载开关。 6. 新能源应用：例如太阳能逆变器、储能系统中作为功率开关元件。 该器件采用TO-220封装，便于散热和安装，适合中高功率应用。由于其良好的性价比和可靠性，FQA10N60C广泛应用于工业、消费类电子和新能源领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 10A TO-3P |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQA10N60C |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2040pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 57nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 730 毫欧 @ 5A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-3PN |
| 功率-最大值 | 192W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
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