图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPB06N03LB
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB06N03LB由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB06N03LB价格参考。InfineonIPB06N03LB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB06N03LB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB06N03LB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
英飞凌（Infineon Technologies）型号为IPB06N03LB的MOSFET，属于N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和快速开关特性的场景。该器件具备低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优异的热稳定性，适合用于以下应用场景： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，适用于通信设备、服务器和工业电源系统。 2. 电机控制：在无刷直流电机（BLDC）驱动、电动工具、电动车控制器中，用于实现高效PWM调速和方向控制。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电保护电路，提供快速开关和低损耗的通断控制。 4. 汽车电子：由于其高可靠性和耐高温特性，常用于汽车中的功率控制模块，如车窗控制、座椅调节、照明系统等。 5. 消费类电子产品：如高效率适配器、快充设备、智能家电中的功率控制部分。 6. 工业自动化：用于PLC、变频器、传感器供电系统中的高频开关应用。 IPB06N03LB采用PG-TDSON-8封装，适合表面贴装，便于在高密度PCB设计中使用，是中低电压功率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB06N03LB_Rev0.93_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42a5ff24311 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPB06N03LB |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 40µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2782pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.3 毫欧 @ 50A，10V |
| 供应商器件封装 | P-TO263-3 |
| 其它名称 | IPB06N03LBT |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
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