图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: IRFS4227PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRFS4227PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS4227PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS4227PBF价格参考。International RectifierIRFS4227PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 62A(Tc) 330W(Tc) D2PAK。您可以下载IRFS4227PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFS4227PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 62A D2PAKMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 26mOhms

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

62 A

Id-连续漏极电流

62 A

品牌

International Rectifier

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS4227PBFHEXFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRFS4227PBF

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

330 W

Pd-功率耗散

330 W

Qg-GateCharge

70 nC

Qg-栅极电荷

70 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

26 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

26 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

20 ns

下降时间

31 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4600pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

98nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

26 毫欧 @ 46A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

典型关闭延迟时间

21 ns

功率-最大值

330W

功率耗散

330 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

26 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 40 C

栅极电荷Qg

70 nC

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

200 V

漏极连续电流

62 A

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

62A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfs4227pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfs4227pbf.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

30 V

推荐商品

型号:STB18NF25

品牌:STMicroelectronics

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRF730AL

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IPP90R500C3XKSA1

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:FCP25N60N

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:STD3NM60N

品牌:STMicroelectronics

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:STB14NK60ZT4

品牌:STMicroelectronics

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRF1302S

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRF7404PBF

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
IRFS4227PBF 相关产品

AO4710

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

价格:

BUK7210-55B,118

品牌:Nexperia USA Inc.

价格:¥3.99-¥8.77

IRF7467TRPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

NTGS3130NT1G

品牌:ON Semiconductor

价格:¥3.07-¥3.07

NTD5865NLT4G

品牌:ON Semiconductor

价格:

MTP2P50EG

品牌:ON Semiconductor

价格:

IRFD014

品牌:Vishay Siliconix

价格:¥询价-¥询价

IPD075N03LGATMA1

品牌:Infineon Technologies

价格:

PDF Datasheet 数据手册内容提取

(cid:2)(cid:3)(cid:1)(cid:4)(cid:1)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9) IRFS4227PbF (cid:1)(cid:2)(cid:1)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9) IRFSL4227PbF Features Key Parameters (cid:1) Advanced Process Technology V max 200 V (cid:1) Key Parameters Optimized for PDP Sustain, DS Energy Recovery and Pass Switch Applications V typ. 240 V DS (Avalanche) (cid:1) Low EPULSE Rating to Reduce Power R typ. @ 10V 22 m(cid:0) DS(ON) Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery I max @ T = 100°C 130 A and Pass Switch Applications RP C T max 175 °C (cid:1) Low QG for Fast Response J (cid:1) High Repetitive Peak Current Capability for D D D Reliable Operation (cid:1) Short Fall & Rise Times for Fast Switching (cid:1)175°C Operating Junction Temperature for S D S Improved Ruggedness G D G G (cid:1) Repetitive Avalanche Capability for Robustness and Reliability D2Pak TO-262 S IRFS4227PbF IRFSL4227PbF G D S Gate Drain Source Description (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)HEXFET® Power MOSFET(cid:5)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:3)(cid:9)(cid:3)(cid:8)(cid:10)(cid:11)(cid:11)(cid:12)(cid:5)(cid:13)(cid:7)(cid:4)(cid:3)(cid:14)(cid:15)(cid:7)(cid:13)(cid:5)(cid:9)(cid:16)(cid:17)(cid:5)(cid:18)(cid:19)(cid:4)(cid:20)(cid:10)(cid:3)(cid:15)(cid:21)(cid:5)(cid:22)(cid:15)(cid:7)(cid:17)(cid:14)(cid:12)(cid:5)(cid:23)(cid:7)(cid:8)(cid:16)(cid:24)(cid:7)(cid:17)(cid:12)(cid:5)(cid:25)(cid:5)(cid:26)(cid:10)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:27)(cid:3)(cid:20)(cid:8)(cid:2) (cid:10)(cid:6)(cid:6)(cid:11)(cid:3)(cid:8)(cid:10)(cid:20)(cid:3)(cid:16)(cid:15)(cid:4)(cid:5)(cid:3)(cid:15)(cid:5)(cid:26)(cid:11)(cid:10)(cid:4)(cid:28)(cid:10)(cid:5)(cid:29)(cid:3)(cid:4)(cid:6)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:5)(cid:26)(cid:10)(cid:15)(cid:7)(cid:11)(cid:4)(cid:30)(cid:5)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)MOSFET(cid:5)(cid:19)(cid:20)(cid:3)(cid:11)(cid:3)(cid:31)(cid:7)(cid:4)(cid:5)(cid:20)(cid:2)(cid:7)(cid:5)(cid:11)(cid:10)(cid:20)(cid:7)(cid:4)(cid:20)(cid:5)(cid:6)(cid:17)(cid:16)(cid:8)(cid:7)(cid:4)(cid:4)(cid:3)(cid:15)(cid:14)(cid:5)(cid:20)(cid:7)(cid:8)(cid:2)(cid:15)(cid:3) (cid:19)(cid:7)(cid:4)(cid:5)(cid:20)(cid:16) (cid:10)(cid:8)(cid:2)(cid:3)(cid:7)(cid:24)(cid:7)(cid:5)(cid:11)(cid:16)(cid:27)(cid:5)(cid:16)(cid:15)!(cid:17)(cid:7)(cid:4)(cid:3)(cid:4)(cid:20)(cid:10)(cid:15)(cid:8)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:17)(cid:5)(cid:4)(cid:3)(cid:11)(cid:3)(cid:8)(cid:16)(cid:15)(cid:5)(cid:10)(cid:17)(cid:7)(cid:10)(cid:5)(cid:10)(cid:15)(cid:13)(cid:5)(cid:11)(cid:16)(cid:27)(cid:5)(cid:22)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:17)(cid:10)(cid:20)(cid:3)(cid:15)(cid:14)(cid:30)(cid:5)"(cid:13)(cid:13)(cid:3)(cid:20)(cid:3)(cid:16)(cid:15)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:10)(cid:20)(cid:19)(cid:17)(cid:7)(cid:4)(cid:5)(cid:16)(cid:9)(cid:5)(cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)MOSFET(cid:5)(cid:10)(cid:17)(cid:7) #$%&’(cid:5)(cid:16)(cid:6)(cid:7)(cid:17)(cid:10)(cid:20)(cid:3)(cid:15)(cid:14)(cid:5)((cid:19)(cid:15)(cid:8)(cid:20)(cid:3)(cid:16)(cid:15)(cid:5)(cid:20)(cid:7)(cid:28)(cid:6)(cid:7)(cid:17)(cid:10)(cid:20)(cid:19)(cid:17)(cid:7)(cid:5)(cid:10)(cid:15)(cid:13)(cid:5)(cid:2)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:5)(cid:17)(cid:7)(cid:6)(cid:7)(cid:20)(cid:3)(cid:20)(cid:3)(cid:24)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:10))(cid:5)(cid:8)(cid:19)(cid:17)(cid:17)(cid:7)(cid:15)(cid:20)(cid:5)(cid:8)(cid:10)(cid:6)(cid:10)*(cid:3)(cid:11)(cid:3)(cid:20)(cid:12)(cid:30)(cid:5)(cid:1)(cid:2)(cid:7)(cid:4)(cid:7)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:10)(cid:20)(cid:19)(cid:17)(cid:7)(cid:4) (cid:8)(cid:16)(cid:28)*(cid:3)(cid:15)(cid:7)(cid:5)(cid:20)(cid:16)(cid:5)(cid:28)(cid:10))(cid:7)(cid:5)(cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)MOSFET(cid:5)(cid:10)(cid:5)(cid:2)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:11)(cid:12)(cid:5)(cid:7)(cid:9)(cid:9)(cid:3)(cid:8)(cid:3)(cid:7)(cid:15)(cid:20)(cid:21)(cid:5)(cid:17)(cid:16)*(cid:19)(cid:4)(cid:20)(cid:5)(cid:10)(cid:15)(cid:13)(cid:5)(cid:17)(cid:7)(cid:11)(cid:3)(cid:10)*(cid:11)(cid:7)(cid:5)(cid:13)(cid:7)(cid:24)(cid:3)(cid:8)(cid:7)(cid:5)(cid:9)(cid:16)(cid:17)(cid:5)(cid:26)(cid:29)(cid:26)(cid:5)(cid:13)(cid:17)(cid:3)(cid:24)(cid:3)(cid:15)(cid:14)(cid:5)(cid:10)(cid:6)(cid:6)(cid:11)(cid:3)(cid:8)(cid:10)(cid:20)(cid:3)(cid:16)(cid:15)(cid:4) Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units V Gate-to-Source Voltage ±30 V GS I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V 62 D C GS I @ T = 100°C Continuous Drain Current, V @ 10V 44 D C GS A I Pulsed Drain Current (cid:0) 260 DM I @ T = 100°C Repetitive Peak Current (cid:1) 130 RP C P @T = 25°C Power Dissipation 330 D C W P @T = 100°C Power Dissipation 190 D C Linear Derating Factor 2.2 W/°C T Operating Junction and -40 to + 175 J T Storage Temperature Range °C STG Soldering Temperature for 10 seconds 300 Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw 10lbf(cid:4)in (1.1N(cid:4)m) N Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units R Junction-to-Case (cid:2) ––– 0.45* θJC R Junction-to-Ambient (PCB Mounted) D2Pak (cid:3) ––– 40 θJA * RθJC (end of life) for D2Pak and TO-262 = 0.65°C/W. This is the maximum measured value after 1000 temperature cycles from -55 to 150°C and is accounted for by the physical wearout of the die attach medium. Notes(cid:1)(cid:1)(cid:2)through (cid:3) are on page 8 www.irf.com 1 12/06/08

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions BV Drain-to-Source Breakdown Voltage 200 ––– ––– V V = 0V, I = 250µA DSS GS D ∆ΒVDSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 170 ––– mV/°C Reference to 25°C, ID = 1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 22 26 mΩ VGS = 10V, ID = 46A (cid:3) V Gate Threshold Voltage 3.0 ––– 5.0 V V = V , I = 250µA GS(th) DS GS D ∆V /∆T Gate Threshold Voltage Coefficient ––– -13 ––– mV/°C GS(th) J I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 20 µA V = 200V, V = 0V DSS DS GS ––– ––– 200 µA V = 200V, V = 0V, T = 125°C DS GS J I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 nA V = 20V GSS GS Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 V = -20V GS g Forward Transconductance 49 ––– ––– S V = 25V, I = 46A fs DS D Q Total Gate Charge ––– 70 98 nC V = 100V, I = 46A, V = 10V(cid:3) g DD D GS Q Gate-to-Drain Charge ––– 23 ––– gd t Turn-On Delay Time ––– 33 ––– V = 100V, V = 10V(cid:2)(cid:3) d(on) DD GS t Rise Time ––– 20 ––– ns I = 46A r D t Turn-Off Delay Time ––– 21 ––– R = 2.5Ω d(off) G t Fall Time ––– 31 ––– See Fig. 22 f t Shoot Through Blocking Time 100 ––– ––– ns V = 160V, V = 15V, R = 4.7Ω st DD GS G L = 220nH, C= 0.4µF, V = 15V ––– 570 ––– GS E Energy per Pulse µJ V = 160V, R = 4.7Ω, T = 25°C PULSE DS G J L = 220nH, C= 0.4µF, V = 15V ––– 910 ––– GS V = 160V, R = 4.7Ω, T = 100°C DS G J C Input Capacitance ––– 4600 ––– V = 0V iss GS C Output Capacitance ––– 460 ––– pF V = 25V oss DS C Reverse Transfer Capacitance ––– 91 ––– ƒ = 1.0MHz, rss C eff. Effective Output Capacitance ––– 360 ––– V = 0V, V = 0V to 160V oss GS DS L Internal Drain Inductance ––– 4.5 ––– Between lead, D D nH 6mm (0.25in.) L Internal Source Inductance ––– 7.5 ––– from package G S and center of die contact S Avalanche Characteristics Parameter Typ. Max. Units E Single Pulse Avalanche Energy(cid:0) ––– 140 mJ AS E Repetitive Avalanche Energy (cid:1) ––– 46 mJ AR V Repetitive Avalanche Voltage(cid:2)(cid:1) 240 ––– V DS(Avalanche) I Avalanche Current(cid:2)(cid:0) ––– 37 A AS Diode Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions I @ T = 25°C Continuous Source Current MOSFET symbol S C ––– ––– 62 (Body Diode) A showing the I Pulsed Source Current integral reverse SM ––– ––– 260 (Body Diode)(cid:2)(cid:1) p-n junction diode. V Diode Forward Voltage ––– ––– 1.3 V T = 25°C, I = 46A, V = 0V (cid:3) SD J S GS t Reverse Recovery Time ––– 100 150 ns T = 25°C, I = 46A, V = 50V rr J F DD Q Reverse Recovery Charge ––– 430 640 nC di/dt = 100A/µs (cid:3) rr 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) 1000 VGS VGS TOP 15V TOP 15V Aen() t 100 BOTTOM 187..000VVV Aen()t BOTTOM 187..000VVV urr 7.0V urr 100 C C ec ec 7.0V ur ur o o S S o- o- n-t n-t 10 ai ai Dr Dr , D 10 ,D I I ≤ 60µs PULSE WIDTH ≤ 60µs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 175°C 1 0.1 1 10 0.1 1 10 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000.0 4.0 VDS = 25V ec ID = 46A n )Α ≤ 60µs PULSE WIDTH ast VGS = 10V ent (100.0 Resi 3.0 Curr On DSanoouecr--r t I,iD 1010...100 TJ = 175°C TJ = 25°C DSanoouecr--r t ,iRDSon() mNoedaz)(r li 12..00 0.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature (°C) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature 1000 1000 L = 220nH L = 220nH 900 C = 0.4µF C = Variable 100°C 800 100°C 800 25°C 25°C J) J) µ µ e( 700 e( s s 600 pul 600 pul er er gpy 500 gpy 400 ner 400 ner E E 300 200 200 100 0 110 120 130 140 150 160 170 130 140 150 160 170 180 190 VDS, Drain-to -Source Voltage (V) ID, Peak Drain Current (A) Fig 5. Typical E vs. Drain-to-Source Voltage Fig 6. Typical E vs. Drain Current PULSE PULSE www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) 1400 1000.0 L = 220nH 1200 C= 0.4µF A) J)1000 C= 0.3µF nt ( 100.0 eµ( C= 0.2µF uerr TJ = 175°C s C epur l 800 Danr i 10.0 Enepgyr 460000 Reveser , D 1.0 T = 25°C S J 200 I V = 0V GS 0 0.1 25 50 75 100 125 150 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 Temperature (°C) VSD, Source-to-Drain Voltage (V) Fig 7. Typical EPULSE vs.Temperature Fig 8. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage 8000 20 VGS = 0V, f = 1 MHZ ID= 46A 6000 CCCirossssss === CCCgdgssd ++ CCggdd, Cds SHORTED Vage() 16 VVDDSS== 116000VV F) otl VDS= 40V p V e( Ciss e 12 nc ucr CCaapact ,i 4000 GSeoao--tt 8 2000 Coss ,GS 4 V Crss 0 0 0 20 40 60 80 100 120 1 10 100 1000 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) QG Total Gate Charge (nC) Fig 9. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage Fig 10. Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage 70 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R (on) DS 60 A) 1µsec n(t 100 An() t 50 Cuerr 100µsec 10µsec Cuerr 40 uecr 10 Dnar , I iD 2300 DSanoor--ti 1 , D Tc = 25°C 10 I Tj = 175°C Single Pulse 0 0.1 25 50 75 100 125 150 175 1 10 100 1000 TC , CaseTemperature (°C) VDS , Drain-to-Source Voltage (V) Fig 11. Maximum Drain Current vs. Case Temperature Fig 12. Maximum Safe Operating Area 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) 600 )anec( Ω 0.16 ID = 46A mgyJ() 500 T O P 8I.5DA essti 0.12 Ener B O T T O M 1 347AA Rn he 400 O c e an oucr 0.08 Aavl 300 Sano--t i TJ = 125°C Puees l 200 Dr 0.04 ngl on), SiS , 100 (DS TJ = 25°C EA R 0.00 0 5 6 7 8 9 10 25 50 75 100 125 150 175 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) Starting TJ, Junction Temperature (°C) Fig 13. On-Resistance Vs. Gate Voltage Fig 14. Maximum Avalanche Energy Vs. Temperature 5.0 200 ton= 1µs V) 4.5 Duty cycle = 0.25 ge( A) 160 HSqaulf aSrein eP uWlsaeve Vaotl 4.0 ID = 250µA en(t od l 3.5 Curr 120 ehs ak hr Pe e t 3.0 e 80 GatSh()t 2.5 Repevttii 40 G V 2.0 1.5 0 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 25 50 75 100 125 150 175 TJ , Temperature ( °C ) Case Temperature (°C) Fig 15. Threshold Voltage vs. Temperature Fig 16. Typical Repetitive peak Current vs. Case temperature 1 ) D = 0.50 C J h Z t 0.1 0.20 mRaeponess( l 0.01 000...100025 τJτJτ1τ1 R1R1 τ2τR22R2 Rτ33Rτ33 τCτR00i (..02°C8161/W928 ) 00 τ..0i0 (00s10e30c17)46 er 0.01 Ci= τi/Ri 0.1506 0.009395 h Ci i/Ri T Notes: SINGLE PULSE 1. Duty Factor D = t1/t2 ( THERMAL RESPONSE ) 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 t , Rectangular Pulse Duration (sec) 1 Fig 17. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) Driver Gate Drive (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4) P.W. Period D = + P.W. Period (cid:24) (cid:1) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:2)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:1)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:2)(cid:14)(cid:15)(cid:3)(cid:9)(cid:6)(cid:2)(cid:11)(cid:12)(cid:13) VGS=10V • (cid:7)(cid:8)(cid:11)(cid:16)(cid:7)(cid:17)(cid:6)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:7)(cid:18)(cid:12)(cid:14)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:9)(cid:12)(cid:4)(cid:15) (cid:7)(cid:7) • (cid:19)(cid:3)(cid:11)(cid:5)(cid:12)(cid:14)(cid:7)(cid:20)(cid:21)(cid:9)(cid:12)(cid:15) - (cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7) (cid:7)•(cid:7)(cid:7) (cid:7) (cid:1)(cid:8)(cid:11)(cid:5)(cid:16)(cid:3)(cid:3)(cid:7)(cid:15)(cid:8)(cid:12)(cid:15)(cid:6)(cid:9)(cid:7)(cid:24)(cid:22)(cid:3)(cid:9)(cid:9)(cid:23)(cid:12)(cid:15)(cid:13)(cid:7)(cid:25)(cid:18)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:14)(cid:26)(cid:5)(cid:4)(cid:15)(cid:6)(cid:3)(cid:9)(cid:12)(cid:4)(cid:15) D.U.T. ISDWaveform + (cid:3) Reverse (cid:2) Recovery Body Diode Forward - - + Current Currentdi/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:4) dv/dt VDD (cid:2) (cid:17)(cid:19) • (cid:14)(cid:2)(cid:28)(cid:14)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:11)(cid:12)(cid:6)(cid:3)(cid:11)(cid:21)(cid:21)(cid:15)(cid:14)(cid:7)(cid:29)(cid:10)(cid:7)(cid:30)(cid:1) (cid:27)(cid:27) Re-Applied • (cid:27)(cid:3)(cid:2)(cid:31)(cid:15)(cid:3)(cid:7)(cid:13)(cid:9)(cid:26)(cid:15)(cid:7)(cid:6)(cid:10) (cid:15)(cid:7)(cid:9)(cid:13)(cid:7)(cid:27)!"!(cid:24)! + Voltage Body Diode Forward Drop • (cid:18)(cid:2)(cid:3)(cid:7)(cid:4)(cid:11)(cid:12)(cid:6)(cid:3)(cid:11)(cid:21)(cid:21)(cid:15)(cid:14)(cid:7)(cid:29)(cid:10)(cid:7)(cid:27)(cid:5)(cid:6)(cid:10)(cid:7)#(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:11)(cid:3)(cid:7)$(cid:27)$ - (cid:18)I(cid:12)n(cid:14)d(cid:5)uc(cid:4)t(cid:6)o(cid:11)r(cid:3) (cid:7)C(cid:1)u(cid:5)r(cid:3)e(cid:3)n(cid:15)t(cid:12)(cid:6) • (cid:27)!"!(cid:24)!(cid:7)%(cid:7)(cid:27)(cid:15)(cid:31)(cid:2)(cid:4)(cid:15)(cid:7)"(cid:12)(cid:14)(cid:15)(cid:3)(cid:7)(cid:24)(cid:15)(cid:13)(cid:6) Ripple ≤ 5% ISD (cid:24)(cid:1)(cid:2) (cid:1)(cid:3)(cid:1)(cid:4)(cid:2)(cid:1)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:1)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:1)(cid:8)(cid:12)(cid:13)(cid:12)(cid:14)(cid:1)(cid:15)(cid:12)(cid:13)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:16) (cid:19)(cid:17) Fig 18. (cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:1)(cid:14)(cid:13)(cid:15)(cid:13)(cid:16)(cid:17)(cid:13)(cid:1)(cid:14)(cid:13)(cid:18)(cid:11)(cid:15)(cid:13)(cid:16)(cid:19)(cid:1)(cid:20)(cid:13)(cid:17)(cid:21)(cid:1)(cid:22)(cid:10)(cid:16)(cid:18)(cid:23)(cid:10)(cid:21)(cid:1)for N-Channel HEXFET(cid:1)(cid:1)Power MOSFETs V(BR)DSS 15V tp VDS L DRIVER RG D.U.T + - VDD IAS A 2V0GVS tp 0.01Ω IAS Fig 19a. Unclamped Inductive Test Circuit Fig 19b. Unclamped Inductive Waveforms Id Vds Vgs L VCC DUT 0 Vgs(th) 1K Qgs1 Qgs2 Qgd Qgodr Fig 20a. Gate Charge Test Circuit Fig 20b. Gate Charge Waveform 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) Fig 21a. tst and EPULSE Test Circuit Fig 21b. tst Test Waveforms Fig 21c. E Test Waveforms PULSE (cid:17)(cid:27) VDS (cid:2) (cid:27)(cid:17) 90% (cid:2) (cid:19)(cid:17) (cid:15)(cid:18)(cid:19)(cid:18)(cid:20)(cid:18) (cid:17) (cid:19) +(cid:2) - (cid:27)(cid:27) 10% (cid:2) (cid:19)(cid:17) VGS (cid:20)(cid:5)(cid:21)(cid:13)(cid:15)(cid:7)&(cid:2)(cid:14)(cid:6)’(cid:7)≤ 1 ((cid:13) (cid:27)(cid:5)(cid:6)(cid:10)(cid:7)#(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:11)(cid:3)(cid:7)≤ 0.1 % td(on) tr td(off) tf Fig 22a. Switching Time Test Circuit Fig 22b. Switching Time Waveforms www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:2)(cid:3)(cid:16)(cid:4)(cid:3)(cid:11)(cid:17)(cid:5)(cid:18)(cid:19)(cid:7)(cid:20)(cid:9)(cid:10)(cid:17)(cid:5) (Dimensions are shown in millimeters (inches)) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:2)(cid:3)(cid:6)(cid:7)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:6)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:12)(cid:10)(cid:13)(cid:14)(cid:6)(cid:15)(cid:3)(cid:7)(cid:9)(cid:14)(cid:10) (cid:3)/(cid:4)(cid:13)(cid:11)(cid:4)(cid:13)(cid:11)(cid:7)(cid:6)(cid:11)(cid:4)(cid:0)(cid:5)(cid:22)(cid:23)(cid:17)(cid:13)(cid:11)(cid:24)(cid:4)(cid:3)/ (cid:20)(cid:7)(cid:0)(cid:3)(cid:11)(cid:6)(cid:21)(cid:14)(cid:15)(cid:1)(cid:0) (cid:9)(cid:8)(cid:3)(cid:11)(cid:2)(cid:8)(cid:12)(cid:1)(cid:11)0(cid:17)(cid:19)1 (cid:4)(cid:6)(cid:3)(cid:1)(cid:0)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:7)(cid:9) (cid:7)(cid:13)(cid:13)(cid:1)(cid:14)(cid:15)(cid:9)(cid:1)(cid:12)(cid:11)(cid:8)(cid:6)(cid:11)(cid:24)(cid:24)(cid:11)(cid:17)(cid:19))(cid:11)(cid:19)(cid:17)(cid:17)(cid:17) (cid:0)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:1)(cid:0) (cid:5)(cid:22)(cid:23)(cid:17)(cid:13) (cid:4)(cid:6)(cid:11)(cid:3)/(cid:1)(cid:11)(cid:7)(cid:13)(cid:13)(cid:1)(cid:14)(cid:15)(cid:9)(cid:16)(cid:11)(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:1)(cid:11)’(cid:9)’ (cid:9)(cid:8)(cid:10)(cid:8) (cid:12)(cid:7)(cid:3)(cid:1)(cid:11)(cid:2)(cid:8)(cid:12)(cid:1) (cid:6)(cid:30)!&*(cid:11)’(cid:20)’(cid:11) "(cid:11)%(cid:31)(cid:31)&+,-.(cid:11)- "& (cid:16)(cid:1)(cid:7)(cid:0)(cid:11)(cid:17)(cid:11)(cid:18)(cid:11)(cid:19)(cid:17)(cid:17)(cid:17) (cid:29)(cid:30)(cid:31) ! (cid:30)"(cid:11) "# $%!&(cid:31)(cid:11)’(cid:9)&%#(cid:26)(cid:5)(&&’ (cid:7)(cid:13)(cid:13)(cid:1)(cid:14)(cid:15)(cid:9)(cid:16) (cid:9)(cid:8)(cid:3)(cid:11)(cid:2)(cid:8)(cid:12)(cid:1) (cid:24)(cid:1)(cid:1)(cid:25)(cid:11)(cid:17)(cid:19) (cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:1)(cid:11)(cid:9) OR (cid:20)(cid:7)(cid:0)(cid:3)(cid:11)(cid:6)(cid:21)(cid:14)(cid:15)(cid:1)(cid:0) (cid:4)(cid:6)(cid:3)(cid:1)(cid:0)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:7)(cid:9) (cid:0)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:1)(cid:0) (cid:5)(cid:22)(cid:23)(cid:17)(cid:13) (cid:9)(cid:8)(cid:10)(cid:8) (cid:12)(cid:7)(cid:3)(cid:1)(cid:11)(cid:2)(cid:8)(cid:12)(cid:1) (cid:20)(cid:11)(cid:18)(cid:11)(cid:12)(cid:1)(cid:13)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:1)(cid:13)(cid:11)(cid:9)(cid:1)(cid:7)(cid:12)(cid:26)(cid:5)(cid:0)(cid:1)(cid:1) (cid:7)(cid:13)(cid:13)(cid:1)(cid:14)(cid:15)(cid:9)(cid:16) (cid:20)(cid:0)(cid:8)(cid:12)(cid:21)(cid:2)(cid:3)(cid:11)(cid:27)(cid:8)(cid:20)(cid:3)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:7)(cid:9)(cid:28) (cid:9)(cid:8)(cid:3)(cid:11)(cid:2)(cid:8)(cid:12)(cid:1) (cid:16)(cid:1)(cid:7)(cid:0)(cid:11)(cid:17)(cid:11)(cid:18)(cid:11)(cid:19)(cid:17)(cid:17)(cid:17) (cid:24)(cid:1)(cid:1)(cid:25)(cid:11)(cid:17)(cid:19) (cid:7)(cid:11)(cid:18)(cid:11)(cid:7)(cid:13)(cid:13)(cid:1)(cid:14)(cid:15)(cid:9)(cid:16)(cid:11)(cid:13)(cid:4)(cid:3)(cid:1)(cid:11)(cid:2)(cid:8)(cid:12)(cid:1) Note: For the most current drawing please refer to IR website at: http://www.irf.com/package/ 8 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) TO-262 Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) TO-262 Part Marking Information (cid:4)(cid:28)(cid:10)(cid:14)(cid:23)(cid:0)(cid:4)(cid:29) (cid:6)(cid:30)(cid:7)(cid:13)(cid:11)(cid:7)(cid:13)(cid:11)(cid:10)(cid:9)(cid:11)(cid:7)(cid:3)(cid:0)(cid:31)(cid:19) (cid:31)(cid:0) (cid:0)(cid:1)(cid:6)(cid:11)(cid:5)(cid:1)(cid:12)(cid:4)(cid:11)(cid:19)(cid:21)!(cid:20) (cid:23)(cid:10)(cid:3)(cid:6)(cid:11)(cid:9)(cid:24)(cid:14)(cid:15)(cid:4)(cid:3) (cid:7)(cid:9)(cid:6)(cid:4)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:6)(cid:7)(cid:1)(cid:9)(cid:10)(cid:0) (cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:0)(cid:4)(cid:12)(cid:11)(cid:1)(cid:9)(cid:11)(cid:17)(cid:17)(cid:11)(cid:19)(cid:20)"(cid:11)(cid:19)(cid:20)(cid:20)(cid:21) (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:4)(cid:3) (cid:7)(cid:9)(cid:11)(cid:6)(cid:30)(cid:4)(cid:11)(cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:0)(cid:16)(cid:11)(cid:0)(cid:7)(cid:9)(cid:4)(cid:11)#(cid:5)# (cid:0)(cid:1)(cid:2)(cid:1) (cid:12)(cid:10)(cid:6)(cid:4)(cid:11)(cid:5)(cid:1)(cid:12)(cid:4) (cid:16)(cid:4)(cid:10)(cid:3)(cid:11)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:11)(cid:19)(cid:20)(cid:20)(cid:21) (cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:0)(cid:16) (cid:0)(cid:1)(cid:6)(cid:11)(cid:5)(cid:1)(cid:12)(cid:4) (cid:17)(cid:4)(cid:4)(cid:18)(cid:11)(cid:19)(cid:20) (cid:0)(cid:7)(cid:9)(cid:4)(cid:11)(cid:5) (cid:0)(cid:1) (cid:23)(cid:10)(cid:3)(cid:6)(cid:11)(cid:9)(cid:24)(cid:14)(cid:15)(cid:4)(cid:3) (cid:7)(cid:9)(cid:6)(cid:4)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:6)(cid:7)(cid:1)(cid:9)(cid:10)(cid:0) (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:4)(cid:3) (cid:0)(cid:1)(cid:2)(cid:1) (cid:12)(cid:10)(cid:6)(cid:4)(cid:11)(cid:5)(cid:1)(cid:12)(cid:4) (cid:23)(cid:11)(cid:22)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:13)(cid:7)(cid:2)(cid:9)(cid:10)(cid:6)(cid:4)(cid:13)(cid:11)(cid:0)(cid:4)(cid:10)(cid:12)(cid:27)(cid:8)(cid:3)(cid:4)(cid:4) (cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:0)(cid:16) (cid:0)(cid:1)(cid:6)(cid:11)(cid:5)(cid:1)(cid:12)(cid:4) (cid:23)(cid:3)(cid:1)(cid:12)(cid:24)(cid:5)(cid:6)(cid:11)(cid:25)(cid:1)(cid:23)(cid:6)(cid:7)(cid:1)(cid:9)(cid:10)(cid:0)(cid:26) (cid:16)(cid:4)(cid:10)(cid:3)(cid:11)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:11)(cid:19)(cid:20)(cid:20)(cid:21) (cid:17)(cid:4)(cid:4)(cid:18)(cid:11)(cid:19)(cid:20) (cid:10)(cid:11)(cid:22)(cid:11)(cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:0)(cid:16)(cid:11)(cid:13)(cid:7)(cid:6)(cid:4)(cid:11)(cid:5)(cid:1)(cid:12)(cid:4) Note: For the most current drawing please refer to IR website at: http://www.irf.com/package/ www.irf.com 9

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:21)(cid:3)(cid:22)(cid:17)(cid:5)(cid:23)(cid:5)(cid:24)(cid:17)(cid:17)(cid:20)(cid:5)(cid:12)(cid:10)(cid:13)(cid:14)(cid:6)(cid:15)(cid:3)(cid:7)(cid:9)(cid:14)(cid:10) TRR 1.60 (.063) 1.50 (.059) 1.60 (.063) 4.10 (.161) 3.90 (.153) 1.50 (.059) 0.368 (.0145) 0.342 (.0135) FEED DIRECTION 1.85 (.073) 11.60 (.457) 1.65 (.065) 11.40 (.449) 24.30 (.957) 15.42 (.609) 23.90 (.941) 15.22 (.601) TRL 1.75 (.069) 10.90 (.429) 1.25 (.049) 10.70 (.421) 4.72 (.136) 16.10 (.634) 4.52 (.178) 15.90 (.626) FEED DIRECTION 13.50 (.532) 27.40 (1.079) 12.80 (.504) 23.90 (.941) 4 330.00 60.00 (2.362) (14.173) MIN. MAX. 30.40 (1.197) NOTES : MAX. 1. COMFORMS TO EIA-418. 26.40 (1.039) 4 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. 24.40 (.961) 3. DIMENSION MEASURED @ HUB. 3 4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE. (cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10) (cid:4)(cid:1)Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. (cid:3) (cid:1)Starting TJ = 25°C, L = 0.2mH, RG = 25Ω, IAS = 37A. (cid:1) Pulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%. (cid:2) Rθ is measured at TJ of approximately 90°C. (cid:5) Half sine wave with duty cycle = 0.25, ton=1µsec. (cid:6) When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material). For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994. Note: For the most current drawing please refer to IR website at: http://www.irf.com/package/ Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the Industrial market. Qualification Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information. 12/2008 10 www.irf.com