Datasheet下载- 型号： IRF1302S
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1302S由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1302S价格参考。International RectifierIRF1302S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF1302S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF1302S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF1302S 是一款N沟道功率MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于高效率、高频率的电源转换场景。其主要应用场景包括：开关电源（SMPS），如AC-DC和DC-DC转换器，适用于服务器、通信设备和工业电源系统；电机驱动电路，用于控制直流电机或步进电机，在工业自动化和电动工具中表现优异；此外，也常用于电池管理系统（BMS）和逆变器设计，支持高效能量转换。该器件具备低导通电阻（RDS(on)）、高电流承受能力和优良的热稳定性，有助于减少功率损耗并提升系统效率。IRF1302S 还适用于汽车电子中的辅助电源模块或车载充电系统，满足严苛环境下的可靠性需求。其封装形式便于散热设计，适合紧凑型高功率密度应用。总体而言，IRF1302S 凭借Infineon在功率半导体领域的技术优势，成为工业、汽车和电源管理领域中高性能MOSFET的理想选择之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF1302S |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 毫欧 @ 104A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRF1302S |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 174A （Tc） |
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