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IRFU420PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU420PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU420PBF价格参考¥4.67-¥7.80。VishayIRFU420PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA。您可以下载IRFU420PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFU420PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFU420PBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,其典型应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源(SMPS):IRFU420PBF的高电压耐受能力(最大漏源极电压为500V)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用,例如DC-DC转换器、AC-DC适配器和逆变器。 2. 电机驱动:该MOSFET可用于控制中小功率直流电机或步进电机的运行。通过快速切换导通与关断状态,实现对电机速度和方向的有效调节。 3. 电子负载保护:在各种电子产品中作为过流保护元件使用,当检测到异常电流时迅速切断电路以避免损坏其他部件。 4. 继电器替代方案:由于其低导通电阻特性(Rds(on)典型值为0.95Ω@Vgs=10V),可以用来代替传统机械继电器,在固态继电器设计中提供更长寿命和更快响应速度。 5. 音频放大器:在某些功率放大电路中担任输出级器件角色,帮助提高效率并减少失真。 6. 光伏系统:应用于太阳能微逆变器或者最大功率点跟踪(MPPT)控制器内,优化能量转换过程。 7. 脉冲宽度调制(PWM)控制器:利用其良好的开关性能来构建高效PWM信号发生器,适用于LED驱动、加热控制等场合。 总之,凭借其出色的电气参数和可靠性,IRFU420PBF广泛适用于需要高压、大电流操作且要求高效能转换的各种工业及消费类电子产品之中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAKMOSFET N-Chan 500V 2.4 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.4 A |
Id-连续漏极电流 | 2.4 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?91275 |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFU420PBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRFU420PBFIRFU420PBF |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 8.6 ns |
下降时间 | 16 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 360pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 欧姆 @ 1.4A,10V |
产品目录绘图 | |
产品种类 | Single-Gate MOSFET Transistors |
供应商器件封装 | TO-251AA |
其它名称 | *IRFU420PBF |
典型关闭延迟时间 | 33 ns |
功率-最大值 | 2.5W |
功率耗散 | 2.5 W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 3 Ohms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
封装/箱体 | IPAK-3 |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 75 |
汲极/源极击穿电压 | 500 V |
漏极连续电流 | 2.4 A |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.4A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |