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详细数据请看参考数据手册

型号： IRLZ24NSPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLZ24NSPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLZ24NSPBF价格参考。International RectifierIRLZ24NSPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK。您可以下载IRLZ24NSPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLZ24NSPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRLZ24NSPBF 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。该型号的应用场景广泛，主要适用于需要高效开关和低导通电阻的场合。以下是其典型应用场景：

1. 电源管理：  
   IRLZ24NSPBF 的低导通电阻（Rds(on)）特性使其非常适合用于 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、电池充电器等电源管理系统中，能够有效降低功率损耗并提高效率。

2. 电机驱动：  
   该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，支持高效的开关操作和精确的电流控制，适用于消费电子、家用电器和工业自动化设备中的电机控制。

3. 负载开关：  
   在便携式设备（如智能手机、平板电脑和其他电池供电设备）中，IRLZ24NSPBF 可用作负载开关，实现快速、低损耗的电路通断控制，同时减少静态电流消耗。

4. 信号切换：  
   由于其低导通电阻和高开关速度，IRLZ24NSPBF 可用于音频信号切换、数据线路切换等应用，确保信号完整性并降低插入损耗。

5. 保护电路：  
   在过流保护、短路保护和热插拔保护电路中，该 MOSFET 可作为关键元件，提供快速响应和可靠的保护功能。

6. 汽车电子：  
   虽然 IRLZ24NSPBF 并非专为汽车级设计，但在一些非严苛环境下的汽车电子应用中（如车窗升降器、座椅调节器等），它也可以发挥重要作用。

7. 照明系统：  
   在 LED 驱动电路中，IRLZ24NSPBF 能够实现高效的电流调节和调光控制，适用于室内照明、背光驱动等领域。

总结来说，IRLZ24NSPBF 凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及部分汽车电子领域，特别适合对效率和散热性能有较高要求的场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 55V 18A D2PAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 10nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	18 A
Id-连续漏极电流	18 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLZ24NSPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRLZ24NSPBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	45 W
Pd-功率耗散	45 W
Qg-GateCharge	10 nC
Qg-栅极电荷	10 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	105 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	105 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	55 V
Vds-漏源极击穿电压	55 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	16 V
Vgs-栅源极击穿电压	16 V
上升时间	74 ns
下降时间	29 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	480pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	15nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	60 毫欧 @ 11A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D2PAK
其它名称	*IRLZ24NSPBF
典型关闭延迟时间	20 ns
功率-最大值	3.8W
功率耗散	45 W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	105 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	D2PAK-2
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	10 nC
标准包装	50
汲极/源极击穿电压	55 V
漏极连续电流	18 A
漏源极电压(Vdss)	55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	18A （Tc）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlz24ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlz24ns.spi
通道模式	Enhancement
配置	Single
闸/源击穿电压	16 V