ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > MMBT5551LT3G
Datasheet下载- 型号： MMBT5551LT3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT5551LT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT5551LT3G价格参考￥0.13-￥0.19。ON SemiconductorMMBT5551LT3G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 160V 600mA 225mW 表面贴装 SOT-23-3（TO-236）。您可以下载MMBT5551LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBT5551LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMBT5551LT3G是一款NPN型双极结型晶体管（BJT），广泛应用于中等电压、中等电流的放大和开关场景。该器件采用SOT-23小信号封装，适合空间受限的便携式电子设备。 典型应用场景包括：音频信号放大电路，如前置放大器和音频驱动电路；各类开关电路，如LED驱动、继电器控制和电源管理模块中的通断控制；在消费类电子产品中用于信号调理和电平转换；还可作为传感器接口电路中的增益元件，提升微弱信号输出。 MMBT5551LT3G具有较高的直流电流增益（hFE）和良好的频率响应，适用于高达300MHz的工作频率，因此也常见于射频前端模块和高频信号处理电路中。其最大集电极-发射极电压（VCEO）可达180V，适合需要较高电压耐受能力的工业控制和电源转换应用。 此外，该型号为无铅、符合RoHS环保标准，适合对环保要求严格的现代电子产品制造。由于其高可靠性与稳定性能，被广泛用于智能手机、平板电脑、智能家居设备、电源适配器、充电器及各类嵌入式系统中。 综上，MMBT5551LT3G是一款通用性强、性能稳定的NPN三极管，适用于放大、开关及信号处理等多种电子电路场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 160V 600MA SOT-23两极晶体管 - BJT 600mA 160V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT5551LT3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT5551LT3G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 160V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 系列 | MMBT5551L |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 160 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 140 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.15 V |
| 集电极连续电流 | 0.6 A |
| 频率-跃迁 | - |
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