Datasheet下载- 型号： SI2329DS-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2329DS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2329DS-T1-GE3价格参考。VishaySI2329DS-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI2329DS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2329DS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2329DS-T1-GE3 是一款N沟道增强型MOSFET，属于小信号功率晶体管，广泛应用于便携式电子设备和高密度电路设计中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）和负载开关电路中，实现高效电能转换与分配，适用于电池供电系统如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。 2. 开关应用：凭借低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适合用作电子开关，控制LED背光、传感器模块或外围设备的电源通断，提升系统能效。 3. 便携设备：由于采用小型SOT-23封装，体积小、功耗低，非常适合空间受限的移动设备，如可穿戴设备、蓝牙耳机和物联网终端。 4. 电机驱动与信号控制：在微型电机驱动电路或逻辑信号切换中作为驱动元件，提供稳定可靠的控制性能。 5. 热插拔与保护电路：可用于过流保护和热插拔控制器中，防止电流浪涌对系统造成损害。 SI2329DS-T1-GE3具备良好的栅极耐压能力和稳定性，工作温度范围宽（-55°C 至 +150°C），适用于工业控制、消费电子及汽车电子中的辅助电源系统。其高可靠性和紧凑设计使其成为现代低电压、低功耗应用中的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SI2329DS-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1485pF @ 4V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 5.3A， 4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
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