ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > 2N7002BKW,115
Datasheet下载- 型号： 2N7002BKW,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002BKW,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002BKW,115价格参考￥0.14-￥0.14。NXP Semiconductors2N7002BKW,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 310mA（Ta） 275mW（Ta） SOT-323-3。您可以下载2N7002BKW,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7002BKW,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 2N7002BKW,115 是一款N沟道增强型MOSFET，属于小信号MOSFET类别，广泛应用于各类电子设备中。该器件采用SOT-23封装，具有体积小、开关速度快、导通电阻低等特点，适合在空间受限和功耗敏感的场合使用。 主要应用场景包括：便携式电子产品（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源管理与负载开关；消费类电子设备（如电视、机顶盒、路由器）中的信号切换与逻辑控制；工业控制电路中的继电器驱动、LED驱动及小型电机控制；以及各类电池供电设备中的低功耗开关应用。 此外，2N7002BKW,115 还常用于电平转换电路、接口保护电路和高频开关电源中，适用于需要高效、可靠开关性能的中低功率场景。其良好的热稳定性和可靠性也使其在汽车电子辅助系统（如车载信息娱乐设备、传感器模块）中得到广泛应用。 总体而言，该MOSFET凭借其高性价比和稳定性能，广泛服务于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等多个领域，特别适用于要求小型化和低功耗设计的应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323MOSFET Single N-Channel 60V 300mA |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 310 mA |
| Id-连续漏极电流 | 310 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors 2N7002BKW,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N7002BKW,115 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.83 W |
| Pd-功率耗散 | 830 mW |
| Qg-GateCharge | 0.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 6 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-5980-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 5 ns |
| 功率-最大值 | 275mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.8 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 550 mS |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 310 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 310mA （Ta） |
| 配置 | Single |
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