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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD8P10TF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD8P10TF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD8P10TF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQD8P10TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD8P10TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD8P10TF 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号的典型应用场景包括: 1. 开关电源 (SMPS): FQD8P10TF 适用于开关模式电源中的高频开关应用,例如降压 (Buck) 或升压 (Boost) 转换器。其低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关速度使其能够高效地控制电流流动。 2. 电机驱动: 在小型直流电机或步进电机驱动中,该 MOSFET 可用作功率开关,实现对电机速度和方向的精确控制。其耐压能力 (Vds = 100V) 和低功耗特性适合多种电机驱动场景。 3. 负载开关: 用于消费电子设备中的负载开关应用,如手机充电器、笔记本电脑适配器等。通过控制电路的通断,减少待机功耗并提高系统效率。 4. 电池管理: 在便携式设备或电动汽车电池管理系统中,FQD8P10TF 可用于电池保护和充放电控制,确保电池工作在安全范围内。 5. LED 驱动: 在 LED 照明应用中,作为电流调节开关,提供稳定的电流输出以保证 LED 的亮度一致性和寿命。 6. 逆变器: 用于小型逆变器中,将直流电转换为交流电,支持家用电器或其他设备的供电需求。 7. 信号放大与缓冲: 在某些低频信号处理电路中,可以利用其高输入阻抗特性进行信号放大或缓冲。 总之,FQD8P10TF 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于需要高效功率切换和控制的各种领域,尤其是在消费电子、工业控制及汽车电子等行业中表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQD8P10TF |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 470pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 530 毫欧 @ 3.3A,10V |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 2,000 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.6A (Tc) |